Hallo zusammen, ich durchdenke gerade folgende Frage: Ist es möglich, einen Half-bridge-gate driver ( IRS2304) mit nachgeschalteter MOSFET-Endstufe (siehe Bild) ohne bootstrap-Schaltung derart zu betreiben, dass an den Eingängen des Treibers beliebig lange Schaltzeiten für HIN oder LIN anstehen dürfen und der entsprechende MOSFET den Lastanschluß entsprechend zum positiven Versorgungsanschluß oder nach Masse schaltet (entsprechende Schutzschaltung im Treiber für Nicht-Gleichzeitiges Einschalten beider MOSFETS vorhanden)? In einem irf-appnote (http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf) lese ich, dass man den normalerweise pulsmoduliert anzusteuernden Bootstrap-Teil nur mit einer isolierten Spannung begegnen kann: If an isolated supply is connected between VB and VS, the high-side channel will switch the output (HO) between the positive of this supply and its ground in accordance with the input command. Kann man das auch einfacher bewerkstelligen? Z.B., wenn man in VB eine höhere Spannung als VCC einspeist und VS auf ein entsprechend höheres Potenzial als 0V (aber beide Potenziale mit Bezug zu den System 0V) legt? Mein Ziel ist - wie gesagt - die beiden Treibereingänge mit beliebig langen Schaltzeiten steuern zu dürfen. Grüße, Micha.
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