Guten Abend liebe Gemeinde,
schon oft habe ich hier kompetente Hilfe erhalten - nun ist es
wiedereinmal soweit, dass ich welche benötige :)
Es geht um den oben angehängten Schaltplan. An dem Punkt rechts von D1
liegen noch knapp 0,7V an. Nun hat eine Simulation ergeben, dass die
Diode durchschaltet und der komplette Strom über diese Diode abfliest.
Allerdings liegt an der Basis-Emitter-Strecke des Transistors ja genau
die gleiche Spannung an, sodass dieser auch durchschalten müsste. Wo
liegt mein Denkfehler? Oder ist es nur Zufall, dass in meiner Simulation
die Diode durchschaltet - und in Realität könnte es durch
Bauteiltoleranzen anders aussehen?
Trotzdem wird mir nicht klar, warum nicht beide (Diode und Transistor)
durchsteuern.
Ich hoffe ihr könnt mir helfen!
Liebe Grüße und Schönen Abend noch!
Der Strom wird sich schon aufteilen, es fließt also Strom sowohl durch
die Diode als auch den Transistor. Wie viel hängt von den Bauteiltypen
und deren Temperatur ab. Die Flusspannung der Dioden Transistoren ist
nicht immer gleich - die 1N4148 hat z.B. bei gleichem Strom eine
deutlich höhere Flussspannung als die 1N4001. In den extremen kann da
auch weniger als 1 % für die eine oder andere Seite über bleiben. Durch
die Eigenerwärmung wird sich das dann vermutlich auch noch weiter
verschieben.
EinGast schrieb:> Aber müsste der Transistor auf Grund der anliegenden Spannung nicht auch> leitend werden, sodass sich der Strom aufteilt?
Nur wenn alles ideal wäre. In der Realität schaltet entweder die Diode
oder der Transistor durch und wird warm. Die Durchlassspannung sinkt,
dadurch wird das "kalte" Bauteil immer weniger/nie durchschalten. Aus
dem Grund funktioniert es z.B. auch nicht 2 Dioden parallel zu schalten
um den doppelten Strom durchlassen zu können.
Nimm ein echtes Transistormodell (BC547C...) und nicht nur den Default
"PNP". Ein paar µA Basisstrom und daher auch ein Kollektorstrom sollten
dann zu messen sein (in manchen DB gibt es UBE/Ic bzw. UBE/Ib
Kennlinien).
Vielen Dank schonmal dafür!
Aber hmmpf, das Stellt mich jetzt vor ein Problem und zwar:
Ich verwende folgende Schaltung aus dem Elektronik Kompendium:
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/dig/schalt/02060211.gif
Ich schalte, je nach Situation, eine, beide oder keine der Dioden gegen
Ground. An Ausgang Q möchte ich einen Transistor Schalten. Nun möchte
ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht
durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen, wenn eine der Dioden
(oder beide) auf Ground geschaltet ist (sind).
Wie ließe sich das am einfachsten bewerkstelligen?
Liebe Grüße!
Mal so aus der Hüfte geschossen: Basiswiderstand?
Wenn eine Diode gegen Ground geschaltet ist, fällt die Durchlassspannung
am Widerstand und der Basis-Emitterdiode ab. Wenns richtig dimensioniert
ist, fällt zu wenig am Transistor ab -> geschlossen.
Aber vll gehts auch besser/einfacher.
Thomas E. schrieb:> Du könntest z.B. noch einen Spannungsteiler vor die Basis schalten, oder
Das wird mir jetzt gerade nicht so ganz klar...?
Flo schrieb:> Mal so aus der Hüfte geschossen: Basiswiderstand?
Den Basiswiderstand habe ich schon, es ist der R der zwischen Ub und Q
liegt
( http://www.elektronik-kompendium.de/sites/dig/schalt/02060211.gif )
Ich Frage mich gerade, ob ich Schottky Dioden für D1 und D2 nehmen
könnte. Würden diese nicht "früher" leitend werden und damit dem
Transistor den Strom "klauen" ?
Vielleicht sehr laienhaft ausgedrückt, aber ich denke, ihr versteht was
ich meine.
Liebe Grüße
EinGast schrieb:> ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht> durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen, wenn eine der Dioden> (oder beide) auf Ground geschaltet ist (sind).
Ein MOSFET als Transistor (Ugsth>>Uf)?
Flo schrieb:> Mal so aus der Hüfte geschossen: Basiswiderstand?
Wie groß müsste dieser Widerstand sein, damit bei z.B. Ib=5µA, hfe=500
und damit Ic=2,5mA ein nennenswerter Spannungsabfall (300mV?) eintritt?
Und funktioniert dann auch das Einschalten noch?
Hp M. schrieb:> So hat man das früher gemacht:> https://de.wikipedia.org/wiki/Diode-Transistor-Logik
Hier würde mir der Spannungsteiler alleine aber auch nicht helfen, um
dem Problem der 0,7V an der BE - Strecke (bei durchschalten der Dioden
V1 / V2) entgegen zu wirken. Ist es nicht viel mehr so, dass die 2
Dioden V3 und V4 Ube "künstlich erhöhen". Das der Transistor erst
durschalten kann, wenn ca. 2,1V hinter R1 anliegen, was aber bei dem
Durchsteuern einer der Dioden V1 / V2 verhindert wird, da an diesem
Punkt dann nur ca. 0,7V anliegen?
Könnte man dann nicht sogar den Widerstand R2 weglassen (um meinem
Problem entgegen zu wirken)?
Und nochmal zurück zu der Idee Schottky Dioden (bei V1 u. V2) zu
verwenden:
EinGast schrieb:> Ich Frage mich gerade, ob ich Schottky Dioden für D1 und D2 nehmen> könnte. Würden diese nicht "früher" leitend werden und damit dem> Transistor den Strom "klauen" ?
Könnte das klappen? Ich meine mich daran zu erinnern, soetwas mal
gelesen zu haben...
Liebe Grüße
EinGast schrieb:> Hier würde mir der Spannungsteiler alleine aber auch nicht helfen,
Welcher Spannungsteiler denn?
In der DTL-Schaltung ist doch gar keiner drin *), ebenso wie in der
später gebräuchlichen TTL-Logik.
https://de.wikipedia.org/wiki/Transistor-Transistor-Logik
Der Vorteil dieser Schaltkreise ist ja gerade, dass man die Ausgänge
solcher Gatter ohne weitere Klimmzüge mit den Eingängen anderer Gatter
aus der gleichen Serie verbinden kann.
Man kommt so z.B. zu dem RS-Flipflop, das jdm. anders hier im Forum
sucht, indem man zwei solche NAND-Gatter (oder auch NOR-Gatter)
kreuzweise miteinander verbindet.
Den Eingangspegel, bei dem die 1 | 0 Entscheidung stattfindet, hat man
bei diesen Schaltkreuisen absichtlich auf etwa +1,4V erhöht, um eine
gewisse Unempfindlichkeit gegen elektrische Störimpulse "Rauschen" auf
den Signalleitungen zu bekommen.
*) P.S.:
R2 ist nicht Bestandteil eines Spannungsteilers, sondern beschleunigt
das Abschalten des Transistors, wenn kein Stromm mehr über die Dioden
V3,V4 kommt.
Der Steuerstrom für den Transistor stammt ausschliesslich aus R1 und
entfällt, sobald einer der Eingämge auf 0 gezogen wird.
Wikipedia schrieb:> Wikipedia schrieb:>Wenn die Eingangsdioden V1 und V2 sperren (Eingänge auf High-Potenzial), so >fließt der Strom über den Widerstand R2, der mit dem Widerstand R1 einen >Spannungsteiler bildet. Die auf diese Weise erhöhte Spannung auf der Basis >des
Transistors V5 führt zum Durchschalten des Transistors.
Diesen Spannungsteiler meinte ich.
Und irgendwie hilft mir deine Antwort gerade nicht bei der Lösung meines
Problems (oder ich interpretiere sie falsch)
und auf die Ideen meines Posts bezüglich Schottky Diode bzw. einfach nur
die 2 Dioden in Durchlassrichtung zum Transistor geht die Antwort auch
nicht wikrlich ein...
Ich möchte nochmal betonen: Ich will hier weder frech noch undankbar
erscheinen. Ich möchte einfach nur meine Unwissenheit auflösen.
EinGast schrieb:> Diesen Spannungsteiler meinte ich.
Das ist aber falsch.
Hast du mein P.S. gelesen?
EinGast schrieb:> auf die Ideen meines Posts bezüglich Schottky Diode bzw. einfach nur> die 2 Dioden in Durchlassrichtung zum Transistor geht die Antwort auch> nicht wikrlich ein...
Weil Schottky Dioden hier überflüssig sind und auch nicht ohne weiteres
zu integrieren waren.
Bei den späteren 74S.. und 74LS.. Serie hat man zwar Schottky Dioden
verwendet, aber an einer ganz anderen Stelle, nämlich mit B und C des
Transistors verbunden, um eine Sättigung des Transistors zu verhindern
und so das Abschalten weiter zu beschleunigen.
Wenn du eh schon LTspice hast, warum probierst du die verschiedenen
Varianten nicht einfach aus?
Vermutlich würde eine Diode in Serie zur Basis schon reichen, aber
sicher ist sicher. Und R3 würde ich auf jeden Fall einbauen - damit wird
die nicht nur der Reststrom abgeleitet, sondern der Transistor schaltet
auch schneller ab.
lebam schrieb:> Nimm ein echtes Transistormodell (BC547C...) und nicht nur den Default> "PNP".
Was auch immer du unter "PNP" verstehst ... ;-)
EinGast schrieb:> Nun möchte ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht> durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen
Dann lieber wie im Anhang ...
EinGast schrieb:> schalte, je nach Situation, eine, beide oder keine der Dioden gegen> Ground. An Ausgang Q möchte ich einen Transistor Schalten. Nun möchte> ich aber sicher stellen, dass der Transistor definitiv nicht> durchschaltet, unabhängig von Bauteiltoleranzen, wenn eine der Dioden> (oder beide) auf Ground geschaltet ist (sind).
Wie schon vor 50 Jahren :)
Frage wurde ja schon beantwortet, aber wer spielt nicht mal gern ...
Da gabs noch ein paar, mittelpraechtige logik
http://www.4qdtec.com/dlc.html
Diode_oder_Transistor.gif
(95 KB)
