PIN oder PSN sind eine Schichtenfolge bei Dioden, die eine besonders
breite Sperrzone zwischen P und N erzeugen. (i-intrinsic, fast ganz
undotiert; S-schwach dotiert)
Bei Fotodioden zum Beispiel erreicht man damit eine etwa 100 µm dicke
Zone in der das Licht Ladungsträger erzeugen kann, die den Fotostrom
bilden, also wesentlich breiter als die sonst übliche Sperrschicht
zwischen P und N.
Bei Leistungsdioden (PSN-Struktur) bildet sich die eigentliche Sperrzone
zwischen P und S, das Potential baut sich in der dicken S-Zone ab und
die Diode hat wesentlich höhere Durchbruchspannung als eine PN-Diode.
Bei PIN-Diden wird die I-Zone als steuerbarer Widerstand für
hochfrequente Signale verwendet. Die Leitfähigkeit von I wird durch
einen Gleichstrom erzeugt, der aus P- und N Ladungsträger in die I-Zone
injiziert und sie damit leitfähig macht.
