Problem mit Ausschaltentlastung bei Cree MOSFET

Hallo,

ich hab mir nen Testaufbau für 2 MOSFETS in H Konfiguration gemacht, für 
z.B. einen Tiefsetzsteller. Der untere Schalter schaltet bei null Volt 
ein ZVS. Und zur Ausschaltentlastung wollte ich mal ein Kondensator 
parallelschalten. Im netz hab ich dann folgende Berechnung gefunden für 
RCD Netzwerke. Also C = Isw * tfi / 2*Uds um den Effekt besser zu sehen 
habe ich mal eine größere Kapazität genommen als eigentlich nötig, ich 
weiß beim einschalten verursacht diese zusätzliche verluste aber beim 
ausschalten sollte sie den schalter noch mehr entlasten. (ist ja nur ein 
versuch)
http://aboutme.samexent.com/classes/spring09/ee5741/Snubbers.pdf seite 
11

Jetzt hab ich das Problem dass beim Ausschalten die Spannung und der 
Strom stark Schwingen und die Verluste nach dem Schalten kurzeitig bis 
zum einschwingen viel größer sind als zum Schalten. Jemand eine idee wo 
ich was falsch mache ? liegt es an der parasitären 
Kondensatorinduktivität? Ich finde dazu iwie auch keine vergleichsfälle 
...

Gatespannung +15 / -4 V  Rg ext ist 2,7 ohm

Die geschaltete Induktivität hat 43uH

U=400V I=20A

Schaltungsanordnung im Bild

Schalter: Cree C3M0065090J SiC MOSFET

Danke schonmal für jeden Denkanstoß