Gast
#4891429
Hallo! Gibt es MOSFETs (optimalerweise im TO-92-Package) mit 3,3V G-S-Spannung (dh. voll durchschaltend bei 3,3V)? Gruß, Johnny W
BSS138, ist aber SOT23
IRF3708 allerdings auch nicht TO 92. Aber da gehen dann auch mehr als nur ein paar mA durch.
Johnny W schrieb: > Gibt es MOSFETs (optimalerweise im TO-92-Package) mit 3,3V G-S-Spannung > (dh. voll durchschaltend bei 3,3V)? Ja. Aber da du weder sagst, welche Spannung dein MOSFET sperren können soll, noch wieviel Strom er leiten können soll, kann man dir natürlich keinen konkreten Typ nennen.
nicht "voll", aber spezifiziert für 3 V: TN0104N3 TN0620N3 TN0702N3 ZVN4424A ZVNL120A
Gast
#4891551
Leider auch nur SOT23.Hat mich aber nicht abgeschreckt einen davon mit einem primitiven Loetkolben und 5mm(!) Loetspitze auf eine Lochrasterplatine zu klatschen. Nicht die beste Loetung - dauerte aber keine 10s.... SI2300 2A/30V 50Stk < 2€ http://stores.ebay.de/survy2014/_i.html?_nkw=si2300&submit=Finden&_sid=1110502607
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SI2300.jpg
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Gast
#4891579
Toxic schrieb: > klatschen Trifft es gut. Das sind keine Lötstellen auf diese Platine, das ist einfach nur Pfusch. Zu viel Lot. Kalte Lötstellen. Draht angeklebt, Lötstelle nur halb erwärmt. Und nein, selbst mit einer 5mm Spitze bekommt man das besser hin (gerade dann, denn dann hat man einen guten Wärmetransfer).
Gast
#4891939
Hanz schrieb: > Das sind keine Lötstellen auf diese Platine, das ist einfach nur Pfusch. > > Zu viel Lot. Kalte Lötstellen. Draht angeklebt, Lötstelle nur halb > erwärmt. > > Und nein, selbst mit einer 5mm Spitze bekommt man das besser hin (gerade > dann, denn dann hat man einen guten Wärmetransfer). Ich kann etwa um den Faktor 100 besser loeten als auf dem Bild ersichtlich.Wenn du wuesstest unter welchen Bedingungen ich dieses Ding fuer Testzwecke zusammengeloetet hatte,wuerdest Du den Hut vor mir ziehen.? Auch wenn es nicht so dolle aussieht - Die Verbindungen sind 100%-ig und haben ihren Zweck erfuellt. Mit dem Bild wollte ich eigentlich nur demonstrieren,dass sich so ein kleines SOT23-Gehaeuse prima auf einer Lochrasterplatine aufbringen laesst.
Gast
#4892003
Beim oberen Anschluss einfach ein Lötaugen mit der Lötspitze wegziehen (geht ganz schnell bei der Pertinaxschrott-Platine) und dann musst du nicht den Anschluss zwischen zwei Lötaugen löten. So schlecht gelötet ist es auch nicht.
Gast
#4892022
Hallo ich bin doch recht überrascht das es auch "richtig kräftige" MOSFET gibt die schon bei 3,3V brauchbar durch schalten. Was wird da eigentlich technologisch anders gemacht als bei den "normalen" MOSFET Transistoren mit niedrigen RDSON und hohen möglichen Stromstärken, die ja oft erst mit 10V G-S-Spannung richtig durch schalten? Warum überhaupt noch neue MOSFET Typen die "erst" bei 10V G-S-Spannung richtig durch schalten - sind die dort machbaren Stromstärken und sehr niedrigen RDSON bei Logiklevel MOSFET nicht machbar, bzw. nur deutlich teurer zu realisieren, und wenn ja warum? Bastler
Gast
#4892047
Hanz schrieb: > Das sind keine Lötstellen auf diese Platine, das ist einfach nur Pfusch. Falsch! > Zu viel Lot. Ist doch egal. > Kalte Lötstellen. Draht angeklebt, Auch falsch! > Lötstelle nur halb erwärmt. Man benötigt nicht den vollen Cu-Ring einer Lochrasterplatine, wenn man SMD lötet. @ Toxic Das hält noch, wenn Hanz schon nicht mehr unter uns weilt.
Gast
#4892084
HildeK schrieb: > @ Toxic > Das hält noch, wenn Hanz schon nicht mehr unter uns weilt. Das ist doch mal ne Antwort mit der ich leben kann....ansonsten wird man ja hier doch nur in die Pfanne gehauen......?
Bastler schrieb: > Was wird da eigentlich technologisch anders gemacht als bei den > "normalen" MOSFET Transistoren mit niedrigen RDSON und hohen möglichen > Stromstärken, die ja oft erst mit 10V G-S-Spannung richtig durch > schalten? Vereinfacht gesagt: gleiche Ladung erhält man bei niedrigerer Spannung durch höhere Kapazität. Braucht halt länger zum Schalten als ein 2N7000, besonders bei dem geringen Strom, den ein µC liefern kann. (Für die richtig dicken FETs braucht man ja auch extra Gate-Treiber, trotz hoher Spannung.)
Bastler schrieb: > ich bin doch recht überrascht das es auch "richtig kräftige" MOSFET gibt > die schon bei 3,3V brauchbar durch schalten. > > Was wird da eigentlich technologisch anders gemacht als bei den > "normalen" MOSFET Transistoren mit niedrigen RDSON und hohen möglichen > Stromstärken, die ja oft erst mit 10V G-S-Spannung richtig durch > schalten? > > Warum überhaupt noch neue MOSFET Typen die "erst" bei 10V G-S-Spannung > richtig durch schalten - sind die dort machbaren Stromstärken und sehr > niedrigen RDSON bei Logiklevel MOSFET nicht machbar, bzw. nur deutlich > teurer zu realisieren, und wenn ja warum? Weil oft nicht nur viel Strom bei geringer Vgs gewünscht ist, sonder z.B. auch geringen Leckstrom im gesperrten Zustand. Da man üblicherweise den gesperrten Zustand mit 0V (nahe 0V) macht und nicht eine extra Minusspannung dafür anlegen will, ergibt sich aufgrund der begrenzten Steilheit eine automatisch höhere Vgs bei hohen Strömen.
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