Hallo allerseits,
der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich. Wenn der Mosfet
voll durch gesteuert ist, beträgt der Wert der Drain-Source-Spannung im
Idealfall null Volt. Wenn ich mir jedoch die Spannung in der Kennlinie
anschaue, ist diese größer als null. Kann mir jemand den
Sättigungsbereich erklären?
Schalter (Mosfet) "ON": Ugs>Uth
Schalter "OFF":Ugs=0 V
Mfg
Mosi schrieb:> der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich.
Das wäre ziemlich blöd.
Dir ist bekannt, dass der Sättigungsbereich beim MOSFET etwas völlig
anderes ist als die Sättigung beim Bipolartransistor?
Mosi schrieb:> Kann mir jemand den Sättigungsbereich erklären?
Der Sättigungsbereich ist nicht der voll durchgeschaltete Bereich,
sondern der Bereich in dem der Strom durch Sättigung des Kanals begrenzt
wird, also der lineare Betrieb des MOSFET als gesteuerter Widerstand.
Voll durchgeschaltet ist er wenn die Kennlinie ganz links im
Triodenbereich steil ansteigt.
> Kann mir jemand den Sättigungsbereich erklären?
Ich bin auch unsicher, ob das der richtige Begriff ist. Aber das
Diagramm zeigt deutlich, was gemeint ist. Nämlich der Bereich rechts von
schraffierten Zone.
Das ist der Bereich, in dem man den Transistor als Schalter betreiben
möchte. In dieser Zone ist der Innenwiderstand möglichst gering.
Mosi schrieb:> Wenn der Mosfet voll durch gesteuert ist, beträgt der Wert der> Drain-Source-Spannung im Idealfall null Volt.
Diesen Idealfall gibt es aber nicht.
Ein realer MOSFET hat im "ON"-Zustand einen Kanalwiderstand (RDS_on) und
folglich einen Spannungsabfall, der proportional zum Strom ist. In der
(konstante) Steigung der Ausgangskennlinie im "Sättigungsbereich" siehst
du den Kanalwiderstand.
Wolfgang schrieb:> In der (konstante) Steigung der Ausgangskennlinie im "Sättigungsbereich"> siehst du den Kanalwiderstand.
Sorry, das ist natürlich der Triodenbereich mit dem steilen Teil der
Kennlinie.
Mosi schrieb:> Hallo allerseits,>> der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich. Wenn der Mosfet> voll durch gesteuert ist, beträgt der Wert der Drain-Source-Spannung im> Idealfall null Volt.
Nein, dann müsste Rds on 0 Ohm sein;
Wenn ich mir jedoch die Spannung in der Kennlinie
> anschaue, ist diese größer als null. Kann mir jemand den> Sättigungsbereich erklären?
Im "Sättigungsbereich" wird der Mosfet überlastet, da ist das Maximum
des Stromflusses durch DS erreicht. (Ist natürlich von der GS Spannung
abhängig)
> Schalter (Mosfet) "ON": Ugs>Uth> Schalter "OFF":Ugs=0 V>> Mfg
Der rechts vom Triodenbereich liegende Teil wird auch als
Pentodenbereich bezeichnet (In Anlehnung an die -früher- gut bekannten
Röhrenkennlinien).
Da ist nichts gesättigt, aber der (differentielle) Innenwiderstand ist
sehr viel höher als im Triodenbereich. Das heißt, bei großer
Spannungsänderung gibt es nur eine kleine Stromänderung. Der fließende
Strom hängt fast nur von der Ugs ab.
Genaueres findet man in der Grundlagenliteratur wie Tietze-Schenk oder
Art Of Electronics.
Ich empfehle, dort naqchzulesen.
Gruß - Werner
Stefan U. schrieb:> Das ist der Bereich, in dem man den Transistor als Schalter betreiben> möchte.
Sicher niemals. Aber bei dem Kenntnisstand kein Wunder, daß die Foristen
hier ihre liebe Not mit UGS(th) und dem erfolgreichen Durchschalten
eines MOSFETs haben.
> In dieser Zone ist der Innenwiderstand möglichst gering.
Nö, dort ist der Strom ID möglichst gering, die Kurve zeigt nicht den
Widerstand, sondern den Strom bei gegebener Spannug an.
> Aber bei dem Kenntnisstand kein Wunder,
jaja, der Laberkopp reisst mal wieder halbe Texte aus ihrem Zusammenhang
um anschließend darüber zu pöbeln. Denst du, so einen Experten-Status zu
erhalten?
So, und jetzt nochmal meine Aussage mit Kontext:
> Ich bin auch unsicher, ob das der richtige Begriff ist.> ... der Bereich rechts von schraffierten Zone.> Das ist der Bereich, in dem man den Transistor als Schalter> betreiben möchte.
Und jetzt kommst du: "Sicher niemals."
Bitte erkläre, warum Du einen MOSFET als Schalter "sicher niemals" in
diesem Bereich betreiben möchtest.
Stopp mal, ich nehme alles zurück!
Irgendwie hatte ich im Kopf, dass die Y-Achse=Ugs sei und die
X-Achse=Ids
Aber das ist ja gar nicht der Fall! Jetzt kappiere ich auch die
Irritation um das Wort "Sättigungsbereich".
> der Mosfet arbeitet als Schalter im Sättigungsbereich
Nein, als Schalter will man ihn außerhalb des Sättigungsbereiches
halten.
Kennline_Mosfet.PNG
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