Gast
#5274275
Hallo, ich habe eine Frage zu der Schaltzeit eines IGBTs und hoffe, dass mir jemand weiterhelfen kann. Ich habe einen fertigen Lowside-Gatetreiber mit dem ich ein IGBT ansteuer. Dies funktioniert soweit auch ganz gut. Die Schaltzeiten werden natürlich durch den verwendeten IGBT bestimmt und laut Literatur zusätzlich durch den Gatetreiber (Stichwort: Gatewiderstand, Outputstrom der Gatetreiberstufe usw.). Dies ist soweit auch noch verständlich und klar. Nun habe ich die Größe des Lastwiderstandes, welcher über den Collector-Anschluss liegt (Lowside-Schalter), variiert. Dabei habe ich festgestellt, dass sich vor allem die Ausschaltzeit sehr starkt verändert. Bei kleineren Widerstandswerten (z.B. 100 Ohm) ist die Ausschaltzeit in ns. Bei größeren Widerstandswerten (z.B. 1 kOhm)ist die Ausschaltzeit bereits bei µs. Kann mir jemand eine plausible Erklärung dafür liefern? Oder irgendeinen Gedankenanstoß? Im "Semikron Applikationshandbuch Leistungshalbleiter" (die einzige tiefer gehende Literatur?) steht nur die Beeinflussung der Schaltzeiten über den Gateanschluss und zusätzlich noch, dass es beim Ausschalten einen größeren Zeitverzug gibt, weil verbliebene Ladungsträger im Halbleitermaterial erst noch rekombinieren müssen bis der IGBT richtig sperrt (Tailstrom). Jedoch begründet mir all das nicht den zuvor beschriebenen Effekt. Abgesehen davon, dass man in der Literatur nichts über die Beeinflussung der Schaltzeit durch Variation des Lastwiderstandes findet, hätte ich instiktiv auch eher ein anderes Ergebnis erwartet. Nämlich das bei höheren Lastwiderständen, und somit einen geringeren Laststrom, die Ausschaltzeit schneller wäre. Getestet wurde das Ganze mit zwei unterschiedlichen IGBTs, sodass es nicht an einem speziellen IGBT-Typen liegen kann. Außerdem lagen die Spannungen und Ströme weit unter dem was die IGBTs abkönnen.