Schaltzeit eines IGBTs

Hallo,
ich habe eine Frage zu der Schaltzeit eines IGBTs und hoffe, dass mir 
jemand weiterhelfen kann.
Ich habe einen fertigen Lowside-Gatetreiber mit dem ich ein IGBT 
ansteuer.
Dies funktioniert soweit auch ganz gut.
Die Schaltzeiten werden natürlich durch den verwendeten IGBT bestimmt 
und laut Literatur zusätzlich durch den Gatetreiber (Stichwort: 
Gatewiderstand, Outputstrom der Gatetreiberstufe usw.). Dies ist soweit 
auch noch verständlich und klar. Nun habe ich die Größe des 
Lastwiderstandes, welcher über den Collector-Anschluss liegt 
(Lowside-Schalter), variiert. Dabei habe ich festgestellt, dass sich vor 
allem die Ausschaltzeit sehr starkt verändert.

Bei kleineren Widerstandswerten (z.B. 100 Ohm) ist die Ausschaltzeit in 
ns.
Bei größeren Widerstandswerten (z.B. 1 kOhm)ist die Ausschaltzeit 
bereits bei µs.

Kann mir jemand eine plausible Erklärung dafür liefern?
Oder irgendeinen Gedankenanstoß?

Im "Semikron Applikationshandbuch Leistungshalbleiter" (die einzige 
tiefer gehende Literatur?) steht nur die Beeinflussung der Schaltzeiten 
über den Gateanschluss und zusätzlich noch, dass es beim Ausschalten 
einen größeren Zeitverzug gibt, weil verbliebene Ladungsträger im 
Halbleitermaterial erst noch rekombinieren müssen bis der IGBT richtig 
sperrt (Tailstrom).
Jedoch begründet mir all das nicht den zuvor beschriebenen Effekt.

Abgesehen davon, dass man in der Literatur nichts über die Beeinflussung 
der Schaltzeit durch Variation des Lastwiderstandes findet, hätte ich 
instiktiv auch eher ein anderes Ergebnis erwartet. Nämlich das bei 
höheren Lastwiderständen, und somit einen geringeren Laststrom, die 
Ausschaltzeit schneller wäre.
Getestet wurde das Ganze mit zwei unterschiedlichen IGBTs, sodass es 
nicht an einem speziellen IGBT-Typen liegen kann.
Außerdem lagen die Spannungen und Ströme weit unter dem was die IGBTs 
abkönnen.