Geht das oder geht dabei das Multimeter kaputt.
Ich frage deswegen, weil ich gerne den Widerstand eines Transistors
zwischen dem Kollektor und dem Emitter wissen möchte, wenn der
Transistor durchgeschaltet ist, also an der Basis eine ausreichende
Spannung anliegt.
Da ich einen möglichst geringen Widerstand erwarte, dachte ich an eine
Messung im Sättigungsbetrieb, also wenn der Transistor maximal
durchgeschaltet ist.
In den Datenblättern habe ich diesbezüglich nichts gefunden.
Auch würde mich interessieren, ob dieser Widerstand bei (MOS)FETs
kleiner ist als bei normalen Transistoren.
Bei Relais wird er wohl, mal abgesehen vom Widerstand des metallischen
Leiters und dem Kontaktübergang nahezu 0 Ohm sein.
Nano schrieb:> Ich frage deswegen, weil ich gerne den Widerstand eines Transistors> zwischen dem Kollektor und dem Emitter wissen möchte, wenn der> Transistor durchgeschaltet ist, also an der Basis eine ausreichende> Spannung anliegt.
Ein Transistor ist ein nichtlineares Bauteil, es hat keinen "Widerstand"
nur einen differentiellen Widerstand abhängig von seinem Arbeitspunkt.
Und den kannst du genausogut aus dem Datenblatt ablesen.
Wenn du unbedingt messen willst, dann miss den Kollektorstrom und den
Spannungsabfall.
Nano schrieb:> Auch würde mich interessieren, ob dieser Widerstand bei (MOS)FETs> kleiner ist als bei normalen Transistoren.
Auch das sagt dir das Datenblatt.
Nano schrieb:> In den Datenblättern habe ich diesbezüglich nichts gefunden.
???
Nenne Ross und Reiter, sprich welchen Transistor genau und was dein
eigentliches Problem ist, dann kann man dir vieleicht helfen.
Nano schrieb:> Geht das
Klar, Strom und Spannung messen, Widerstand berechnen.
Nano schrieb:> In den Datenblättern habe ich diesbezüglich nichts gefunden.
Keine Angaben zu Uce über Ice? Glaub ich nicht.
Nano schrieb:> Bei Relais wird er wohl, mal abgesehen vom Widerstand des metallischen> Leiters und dem Kontaktübergang nahezu 0 Ohm sein.
Richtig.
Nano schrieb:> Geht das
Nein, nicht im Widerstandsmessbereich.
> oder geht dabei das Multimeter kaputt.
Bei geringer Spannung ist das Messergebnis falsch, bei hoher Spannung
das Messgerät oder zumindest dessen Sicherung kaputt.
> Ich frage deswegen, weil ich gerne den Widerstand eines Transistors> zwischen dem Kollektor und dem Emitter wissen möchte
Der hat keinen festen Widerstand, also nichts zu messen. An einem voll
durchgeschalteten Transistor ksnn man die Spannung zwischen C und E
messen, versuchen den Strom zu messen der in C hineinfliesst, und daraus
den minimalen dynamischen Widerstand beim voll durchgeschalteten
Transistor messen.
Sinkt der Strom aber auf die Hälfte, wird die Spannung nicht auf die
Hälfze fallen, weil der Transistor eben kein ohmscher Widerstand ist.
> In den Datenblättern habe ich diesbezüglich nichts gefunden.
Dort steht UCEsat auch als Diagramm über den Strom weil es eben kein
fester Widerstand ist.
> Auch würde mich interessieren, ob dieser Widerstand bei (MOS)FETs> kleiner ist als bei normalen Transistoren.
Ja. Nur lowSat Transistoren sind gut, aber auch langsam.
> Bei Relais wird er wohl, mal abgesehen vom Widerstand des metallischen> Leiters und dem Kontaktübergang nahezu 0 Ohm sein.
Also Milliohm, das schaffen auch die besten MOSFETs, aber sie isolieren
abgeschaltet nicht so gut.
MaWin schrieb:> Also Milliohm, das schaffen auch die besten MOSFETs, aber sie isolieren> abgeschaltet nicht so gut.
Dafür können Mosfets bei 40 oder 60V hohe DC-Ströme sicher abschalten,
was wiederum viele Relais nicht können.
Deshalb sollte der TO einfach mal sagen welches Problem er konkret lösen
will.
Nano schrieb:> Da ich einen möglichst geringen Widerstand erwarte, dachte ich an eine> Messung im Sättigungsbetrieb, also wenn der Transistor maximal> durchgeschaltet ist.
...
> Auch würde mich interessieren, ob dieser Widerstand bei (MOS)FETs> kleiner ist als bei normalen Transistoren.
Diese Fragestellung ist unsinnig, weil die Emitter-Kollektor Strecke
eines Bipolartransistors sich nicht wie ein ohmscher Widerstand verhält.
Die Drain-Source Strecke eines MOSFET hingegen schon eher.
Eine sinnvollere Fragestellung wäre z.B. "Wenn ich einen Strom von x
Ampere schalten will, habe ich dann an Transistor Y oder an MOSFET Z die
größere Verlustleistung?"
Das könnte man dann auch relativ einfach mit einer Spannungsmessung am
durchgeschalteten Transistor resp. MOSFET beantworten.
> Nano schrieb:>> Auch würde mich interessieren, ob dieser Widerstand bei (MOS)FETs>> kleiner ist als bei normalen Transistoren.>> Auch das sagt dir das Datenblatt.>> Nano schrieb:>> In den Datenblättern habe ich diesbezüglich nichts gefunden.>> ???>> Nenne Ross und Reiter, sprich welchen Transistor genau und was dein> eigentliches Problem ist, dann kann man dir vieleicht helfen.
Ich habe in dieses Datenblatt geschaut und nach Werten mit der Einheit
Ohm bzw. dem dafür entsprechenden Symbol gesucht:
https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/BC546.pdf
Nano schrieb:> Ich habe in dieses Datenblatt geschaut und nach Werten mit der Einheit> Ohm bzw. dem dafür entsprechenden Symbol gesucht:> https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/BC546.pdf
Das liegt daran, dass ein Bipolartransistor den gesuchten Widerstand
nicht hat. Natürlich hat er Widerstände, aber nicht den einen
konstanten.
Das erste Diagramm entspricht am ehesten dem, was du suchst.
Nano schrieb:> Ich habe in dieses Datenblatt geschaut und nach Werten mit der Einheit> Ohm bzw. dem dafür entsprechenden Symbol gesucht
Das Ohm ist Spannung geteilt durch Strom.
Also R = U/I
Also nimm dir das 1. Diagramm, da siehst du Die Spannung am Transistor
(Uce) in Abhängigkeit vom Strom Ic und vom Basisstrom Ib.
>Ich habe in dieses Datenblatt geschaut und nach Werten mit der Einheit>Ohm bzw. dem dafür entsprechenden Symbol gesucht:>https://www.sparkfun.com/datasheets/Components/BC546.pdf
Tja - Ohm wird gebildet aus Ampere und Volt. Und das findet man
üblicherweise in den meisten Transistordatasheets für definierte
Arbeitspunkte.
Das ist aber eben nur für einen bestimmten Arbeitspunkt gültig, weil
solch ein BJT hochgradig nichtlinear ist, und damit auch dessen
Widerstände.
Und beschäftige Dich mal mit dem Prinzip einer Widerstandsmessung. Dann
sollte Dir eigentlich klar sein, daß jegliche Fremdspannung zu einer
Fehlmessung führen wird, es sei denn, das Meßgerät stellt das
intelligent an (sofern es solche Meßgeräte überhaupt gibt).
Nano schrieb:>> Bei Relais wird er wohl, mal abgesehen vom Widerstand des metallischen> Leiters und dem Kontaktübergang nahezu 0 Ohm sein.
Oh mannoman,
Zwischen 0,3 Ohm und 0,000000001 Ohm liegen Welten dazwischen!
So wie z.B. Einem Volt und Megavolt....
Okay danke, dann werde ich U und I aus dem Diagramm entnehmen und den
Widerstand berechnen.
Das ohmsche Gesetz ist mir natürlich klar, nur bin ich nicht von einem
nichtlinearen Bauteil ausgegangen. Dachte eher an so etwas wie einen
festen Innenwiderstand den man einfach nur im Datenblatt in der Tabelle
ablesen kann. Dem ist leider nicht so.
Der Andere schrieb:
...
>> Also nimm dir das 1. Diagramm, da siehst du Die Spannung am Transistor> (Uce) in Abhängigkeit vom Strom Ic und vom Basisstrom Ib.
...dann die Widerstandsgerade in das Diagramm einzeichnen und Uce an der
x-Achse ablesen.
Der Andere schrieb:> Deshalb sollte der TO einfach mal sagen welches Problem er konkret lösen> will.
sein Lehrer wird es mit ihm wohl schon aufgegeben haben?
