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Heatsink auf ein Potential beziehen
Gast
#5355991
Hallo zusammen Ich will zwei MOSFETs mit Hilfe eines Heatsinks kühlen. Nun stell ich mir die Frage, ob ich den Heatsink auf das Ground Potential oder ihn auf kein Potential beziehen soll. Der Heatsink des MOSFETs ist auf kein Potential bezogen. Ein zusätzlicher Punkt ist, dass mein Ground Potetnial auf 175V liegt. Was sind die Vor- bzw. Nachteile der beiden Varianten? Gruss Philipp
Gast
#5356125
Philipp schrieb: > Nun stell ich > mir die Frage, ob ich den Heatsink auf das Ground Potential oder ihn auf > kein Potential beziehen soll. Bei der Beantwortung der Frage gehe ich einfach mal davon aus, daß die Mosfets mit 100 kHz schnell geschaltet werden. Selbstverständlich wird der Kühlkörper(!) mit dem Ruhepotential verbunden. Schon ein freistehendes TO220 Gehäuse kann benachbarte Schaltkreise stören, ein Kühlkörper mit mehr Fläche erst recht.
Gast
#5356138
Wegen der grossen Flaeche, die unter Spannung stuende, MOS elektrisch isoliert montieren, auch wenn dessen Montageseite nicht mit einem Pin verbunden waere. Heatpipe isoliert anbringen, aber auch mit hochohmigen Widerstand anschliessen, dass er sich nicht statisch aufleadt.
Gast
#5356150
Loesung von Sven bei Betrieb, der viel EMV produziert, waere in dem Fall passender. Nach Vorschrift muss aber an die Metallteile die Warnung vor gefaehrlicher Spannung.
Gast
#5356191
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