VDE 0110 Mindestkriechstrecke und TO247-4 oder TO263-7 Gehäuse

Thomas Gast #5458562
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Hallo,

ich habe eine eher theoretische Frage zu den Mindestkriechstrecken der 
VDE 0110, Din 60664-1 und gewissen Gehäusetypen bei 
Hochspannungsleistungsschalter.

Laut Tabelle beträgt bei Verschmutzungsgrad 1 die Mindestkriechstrecke 
bei einer effektiven Spannung von 630 V, 1.8 mm.


Es gibt zum Beispiel viele Mosfets mit Sperrspannungen von 1,2 kV oder 
mehr, die in einem TO247-4 Gehäuse oder TO263-7 Gehäuse untergebracht 
sind und somit, falls sie als Highside-Schalter eingesetzt werden, diese 
Anforderung aufgrund des springenden Potentials verletzen.

Wieso dürfen diese Bauelemente trotzdem verwendet werden?
oder gilt das nur, wenn man einen zusätzlichen Schutzlack verwendet?

Viele Grüße
Thomas
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Soul E. Gast #5458607
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Thomas schrieb:

> Laut Tabelle beträgt bei Verschmutzungsgrad 1 die Mindestkriechstrecke
> bei einer effektiven Spannung von 630 V, 1.8 mm.

Du musst schon unterscheiden zwischen technischen Isolationsabständen 
und VDE-Normen. Primärseitig zwischen L und N oder gegen PE wäre ein 
TO-263 in der Tat nicht zulässig. Um eine Spannung im Inneren eines 
Gerätes zu schalten schon.
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Falk B. #5458690
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@ Thomas (Gast)

>Laut Tabelle beträgt bei Verschmutzungsgrad 1 die Mindestkriechstrecke
>bei einer effektiven Spannung von 630 V, 1.8 mm.

Kann sein.

>Es gibt zum Beispiel viele Mosfets mit Sperrspannungen von 1,2 kV oder
>mehr, die in einem TO247-4 Gehäuse oder TO263-7 Gehäuse untergebracht
>sind und somit, falls sie als Highside-Schalter eingesetzt werden, diese
>Anforderung aufgrund des springenden Potentials verletzen.

Jo.

>Wieso dürfen diese Bauelemente trotzdem verwendet werden?

Weil VDE-Normen nicht der Weisheit letzter Schluß sind.

>oder gilt das nur, wenn man einen zusätzlichen Schutzlack verwendet?

Kann sein, muss nicht. Wenn du in deinem Gerät sicher stellen kannst, 
daß es nicht verdreckt und betaut, kommt man auch mit kleineren 
Kriechwegen zurecht.
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