AtTiny mit 200nF zwischen GND und VCC

Gast #5554711
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Hallo,

HildeK schrieb:
> Nur, wenn er kaputt ist!
>
> Nein, es müssen sowohl 10nF als auch 1μF gehen. Die Bauformen sollten
> allerdings kompakt sein (SMD) und es sollten Keramikkondensatoren sein.

Ich hab 200nF dran.
Den N-Ch Mosfet hab ich noch eine 10kOhm Widerstand nach VCC verbunden 
und per 680 Ohm an den Tiny Port.

Grüße
Frank
Gast #5554810
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Frank Ertl schrieb:
> Jetzt schalten meine MosFets nicht mehr aus. Kann das daran liegen?

Wirklich "jetzt", also als UNMITTELBARE FOLGE des Kondensator-Einbaus?
Ohne den Kondensator ging es aber?
Weil GENAU DAS hast Du zum Ausdruck gebracht durch das "jetzt...nicht 
mehr".

Also, wie sind nun die genauen Fakten?
(Firma: Funkenflug Industries) #5554837
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Das nächste wäre ein Foto vom Aufbau. Der Schaltplan ist zwar schwer 
leserlich, sollte aber passen. Möglicherweise ist der FET defekt oder Du 
hast Beinchen vertauscht? Welche Taktfrequenz verwendest Du bei 3V?

An den 200/220nF liegt das mit Sicherheit nicht. Ich verwende selbst 
gerne große Abblockkondensatoren, teilweise bist zu 1µF wenn mir sowas 
beim Basteln bzw. Ausschlachten von alten Platinen gerade in die Finger 
kommt. Hatte nie Probleme deswegen.
Beitrag #5554841 wurde von einem Moderator gelöscht.
Gast #5555104
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Für Schaltpläne gibt es halbwegs genormte Symbole. Deren Sinn besteht 
unter anderem darin, dass man erkennen kann, welche Pin wo hin gehört. 
Bei deinem Transistor-Kasten ist das gar nicht klar. Auch fehlt die 
Angabe, welchen Transistor du verwendet hast.

Eventuell hast du ihn falsch verbunden oder durch statische Ladung 
zerstört.
Beitrag #5555282 wurde von einem Moderator gelöscht.
#5555402
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Was ist es für ein MosFet?
Was erwartest du dir vom 680 Ohm Widerstand?
Dir ist klar, dass du da einen Spannungsteiler gebaut hast, zusammen mit 
dem 10k Pull-Down?
Schaltet dein Mosfet bei der verbleibenden Gate-Spannung überhaupt noch?

Sicher dass es ein Mosfet ist, und kein Bipolar-Transistor? Für den 
würde der
Vorwiderstand Sinn ergeben.
Gast #5555900
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Fern Schätzer schrieb:
> Frank Ertl schrieb:
>> Hab deshalb
>> einen 200nF Kondensator zwischen GND und VCC gesetzt.
>
> Sollte man noch anmerken dass es wohl kaum 200nF gibt.
> Nächster Wert wäre 220nF.

Troll...

Du kriegst nahezu jeden erdenklichen Wert, gleiches gilt für 
Widerstände... 200nF ist E24 Reihe

Und selbst wenn er nicht mal in der E192 Reihe wäre, es werden auch 
Bauteile außerhalb der E-Reihen hergestellt...
#5555921
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René F. schrieb:
> Fern Schätzer schrieb:
>> Frank Ertl schrieb:
>>> Hab deshalb
>>> einen 200nF Kondensator zwischen GND und VCC gesetzt.
>>
>> Sollte man noch anmerken dass es wohl kaum 200nF gibt.
>> Nächster Wert wäre 220nF.
>
> Troll...
>
> Du kriegst nahezu jeden erdenklichen Wert, gleiches gilt für
> Widerstände... 200nF ist E24 Reihe

Er hat ja nicht geschrieben, dass es sie gar nicht gibt, sondern nur, 
dass sie selten sind (zumindest hab ich das so verstanden). Bei Reichelt 
findet man z.B. keinen 200nF-Kerko.

Εrnst B. schrieb:
> Was erwartest du dir vom 680 Ohm Widerstand?

Üblicherweise macht man so einen Widerstand rein, um den µC-Pin nicht 
durch das Umladen der Gate-Kapazität zu überlasten. Wobei 680 Ω mir da 
etwas viel erscheinen.
Was mich interessieren würde: Ist das denn überhaupt ein 
logic-level-FET?
Gast #5555938
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Rolf M. schrieb:
> Üblicherweise macht man so einen Widerstand rein, um den µC-Pin nicht
> durch das Umladen der Gate-Kapazität zu überlasten. Wobei 680 Ω mir da
> etwas viel erscheinen.

Ack.
Wobei der Spannungsteiler 10k/680R 'nur' zu ca. 7% Pegelverlust führt. 
Wird man bei VCC=3V sicher vermeiden wollen.
Man könnte die 680R halbieren oder dritteln bzw. den 10k deutlich 
vergrößern. Wenn hier nur langsam geschaltet werden soll (keine schnelle 
PWM) und die LED nicht gerade die Strombelastbarkeit des FET ausreizt 
(bei 400R Vorwiderstand + LED an 3V ist sicher genügend Spielraum für 
die SOA), dann sind die 680R kein Problem.
Gast #5555970
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batman schrieb:
> Rolf M. schrieb:
>> Üblicherweise macht man so einen Widerstand rein, um den µC-Pin nicht
>> durch das Umladen der Gate-Kapazität zu überlasten.
>
> Ist das beim AVR schon mal passiert?

Mir jedenfalls noch nicht. Einzelne Pins sind beim AVR kurzschlussfest. 
Nur wenn man viele Pins über längere Zeit gleichzeitig überlastet, wird 
es kritisch.

Man sollte aber auch an die Stromversorgung denken. Hohe Strom-Impulse 
belasten diese entprechend.
#5556008
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HildeK schrieb:
> Wahrscheinlich eher nicht. Aber du betreibst den Pin in dem Fall
> trotzdem außerhalb der Spezifikationen.

Nö. Selbst bei mittelgroßer Gate-Charge und hoher PWM-Frequenz bleibt 
man ohne Widerstand innerhalb der Spec.

I = f * C

Rolf M. schrieb:
> Üblicherweise macht man so einen Widerstand rein, um den µC-Pin nicht
> durch das Umladen der Gate-Kapazität zu überlasten.

Nö. Einen Gate-Vorwiderstand macht man zum Dämpfen von Schwingungen rein 
(Ringing). Gate-Kapazität bildet mit Leiterbahn-Induktivität einen 
Schwingkreis mit vielen MHz, EMV-Technisch eher ungünstig.
Oder um dU/dt im Lastkreis zu beschränken, auch EMV.

Zum Schutz des AVR-IO-Pins eignet sich so ein Vorwiderstand eher 
weniger. Den max. Peak-Strom begrenzt ein CMOS-Ausgang von selber 
(Abschnür-Effekt), gefährlich für den Chip ist eine (lokale) 
Überhitzung. Wenn du dir mal U und I am IO-Pin aufzeichnest, und das 
Integral über Ptot während eines Schaltvorgangs berechnest (oder grob 
graphisch abschätzt), mit und ohne Widerling vor dem Gate, wirst du 
sehen, dass der keinen großen Unterschied bringt.
Und vor allem, dass die Verlustleistung bei den üblichen LL-Fets und 
AVR-PWM-Frequenzen weit, weit, weit, weit von dem entfernt ist, was der 
Chip laut DaBla verträgt.
(Firma: www.harerod.de) Persönliche Seite #5556561
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Frank Ertl schrieb:
...
> ich hatte keine 100nF Kondensatoren mehr nur 200nF und 10nF. Hab deshalb
> einen 200nF Kondensator zwischen GND und VCC gesetzt.
> Jetzt schalten meine MosFets nicht mehr aus. Kann das daran liegen?
...

Ich wünsche uns ein Photo vom Aufbau, bitte.

In der Zwischenzeit werden noch Wetten angenommen, wie lange die 
Antennendrähte von Versorgung und 200nF sind.

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