Hallo,
> wenn man dem Endstufentransistor einfach die Versorgungsspannung
> wegnimmt,
> scheint noch etwas HF über die Basis-Kollektor Strecke zum TRX-Schalter
> zu fließen.
Wenn ich die Frage richtig verstehe willst Du dem RF-Mosfet die
Versorgungsspannung klauen aber weiterhin den Rest betreiben.
Da es sich um ein MOS Transistor (vermutlich LDMos) handelt bekommt man
schon mal keinen Basis-Kollektor-Strom sondern Gate-Drain/Source-Strom.
Wenn Du den Transistor kennst kannst Du im Datenblatt die Kapazität bei
Vds=0V nachsehen und abschätzen wie viel Leistung dort kapazitiv
koppelt.
Dann gibt es ja aber auch noch den Schalter der im RX-Modus entsprechend
dämpft. Es könnte also durchaus sein, dass man ausreichend wenig
Leistung abstrahlt.
> Ist das HF-technisch noch OK, oder wird die Schaltung dann zu einem
> Störsender?
Das kommt wie gesagt ein bisschen auf den Transistor an und welchen
Pegel man noch tolerieren kann. Problematischer könnte aber sein, dass
der Schalter zwischen TX und RX keine unendliche Isolation hat und man
die gekoppelte RF über den Schalter in den RX bekommt und es dort zu
Störungen oder sogar Blocking kommt.
Wenn Du sicher gehen willst und die RF aus irgendwelchen Gründen nicht
abschalten kannst, könnte man sie am Gate mit einer PIN-Diode
kurzschließen wenn die Versorgungsspannung nicht vorhanden ist. Müsste
mit weniger als einer handvoll Bauteilen realisierbar sein.
Viele Grüße,
Martin Laabs
rfm23bp_schem_RF.png
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