Hallo,
ich möchte gerne den NMOS BUK9Y12-55B in 100ns schalten. Das packt mein
attiny leider nicht, also brauche ich einen Gate-Treiber. Mein Problem
ist, dass es sich um eine batteriegetriebene Schaltung handelt, die man
nicht via Schalter einfach ausschalten kann. Das Ausschalten wird via
tiny geregelt. Jetzt gibt es anscheinend "aktive" und "passive"
Gate-Treiber. Die aktiven sollen wohl "buffered" sein (ich habe leider
nicht verstanden, wo da der Vorteil ist), aber die brauchen leider alle
20-200uA im Standby. Allerdings möchte ich gerne möglichst keinen
Standby-Strom verbrauchen. Dann gibt es noch die passiven, wo wohl
einfach zwei Transistoren verbaut sind z.B. ZXG3009, aber der ist
verdächtig billig.
Kann mir jemand Rat geben?
Jan schrieb:> Geht nicht, da der Gate-Treiber mit 10V versorgt wird.
natürlich geht das, PNP mit Emitterwiderstand beim Atmel, Kollektor mit
Gatewiderstand am P-Fet. fertig.
Jan schrieb:> ich möchte gerne den NMOS BUK9Y12-55B in 100ns schalten. Das packt mein> attiny leider nicht,
Hmmm... Woher kommt die Anforderung? Wenn das Signal von einem ATtiny
kommt, wird das ja kein Multi-MHz-Signal sein.
Du kommst da langsam in Regionen, wo der Energieaufwand für's
Gate-Umladen höher wird als die Verlustleistungs-Ersparnis im FET durch
das schnellere Schalten.
d.H. du verschiebst evtl. nur Verlustleistung vom FET zur
Ansteuerschaltung, ohne dabei in Summe groß was zu Gewinnen.
Dein BUK9Y12-55B sollte sich von seinen Daten her eigentlich ganz gut
vom AVR direkt ansteuern lassen, aber eben nicht mit XX MHz, sondern
eher <=100 kHz.
Was verstehst du unter ausgeschaltet ?
Ich würde darunter einen offenen hochohmigen Ausgang zum Gate verstehen,
damit es von einer anderen Quelle gesteuert werden kann.
Du vetstehst darunter wohl das Gate auf Masse (also genau wie bri low am
Eingang) nur geringere Stromaufnahme.
Warum nimmst du überhaupt 'aktive' Gate-Treiber, also solche mit
erheblicher Ruhestromaufnahme (die das meist wegen Eingangspullup oder
Referenzspannung wegen UVLO oder Ladungspumpe wenn es high side driver
sind brauchen) ?
Du hast einen LogicLevel MOSFET, der verträgt max. 10V am Gate, da
braucht man keinen Pegelwandler.
Ein einfacher Gate-Treiber (auch 2 Einzeltransistoren) tut es, der macht
aus den 0V/5V des AVR immerhin 0.7V/4.3V, das reicht zum ein- und
ausschalten. Treiber-Strom bei low: 0.
Er hat nur kein UVLO, also Ansteuerung mit high verhindern wenn
Betriebsspannung zu niedrig. Da wird hoffentlich dein AVR ausschalten.
So toll finde ich deinen ausgesuchten MOSFET übrigens nicht,
'ausgeschaltet' wird nur unter 1mA garantiert, Gate-Ladung und RDSon
eher hoch, Gate-Maximalspannung eher niedrig, wie kommt man auf so ein
Teil ? Gabs das geschenkt ?
MaWin schrieb:> Warum nimmst du überhaupt 'aktive' Gate-Treiber, also solche mit> erheblicher Ruhestromaufnahme (die das meist wegen Eingangspullup oder> Referenzspannung wegen UVLO oder Ladungspumpe wenn es high side driver> sind brauchen) ?
Noch nehme ich ja gar nichts. Ich bin in der Phase der
Entscheidungsfindung. Die aktiven Teile scheinen schneller schalten zu
können als die passiven. Ist das der einzige Vorteil?
> Du hast einen LogicLevel MOSFET, der verträgt max. 10V am Gate, da> braucht man keinen Pegelwandler.> Ein einfacher Gate-Treiber (auch 2 Einzeltransistoren) tut es, der macht> aus den 0V/5V des AVR immerhin 0.7V/4.3V, das reicht zum ein- und> ausschalten. Treiber-Strom bei low: 0.
Du meinst ZXG3009?
> So toll finde ich deinen ausgesuchten MOSFET übrigens nicht,> 'ausgeschaltet' wird nur unter 1mA garantiert, Gate-Ladung und RDSon> eher hoch, Gate-Maximalspannung eher niedrig, wie kommt man auf so ein> Teil ? Gabs das geschenkt ?
Ich habe bestimmt schon 1001 FETs verglichen und es hat sich
herauskristallisiert, dass RDSon mit Qg*Vgs'on' korreliert. Wenn du also
einen FET hast, der weniger RDSon hat, weniger Qg und gleichzeitig sein
Miller-Plateau auf dem gleichen Niveau hat, nehme ich den gerne und
dankend an.
Nachtrag, genauer:
Je tiefer das Miller-Plateau, desto höher Qg.
UND AUCH: Je höher Qg, desto tiefer Rdson.
Wenn man gleichzeitig ein sehr niedriges Vplateau und ein sehr niedriges
RDSon haben will, wird Qg zwangsläuftig sehr hoch sein. Technologische
Quantensprünge sind hiervon natürlich ausgenommen.
Aber ich lasse mich hier gerne belehren.
>> Was ist das für eine Batterie, wo kommen die 10V her?
Danke für die Antwort...
> Aber ich lasse mich hier gerne belehren.
Das glaube ich nicht, Jan!