Gast
#6219919
Hi Leute, ich habe mir gerade eben einmal Infineon's neuestes Class-D Referenzdesign angeschaut. Es basiert auf dem IRS20957S mit angekoppelten GaN Mosfets. Gate-Vorwiderstand ist hier 560 Ohm, was irgendwie auch Sinn macht, nachdem GaN Mosfets ja eine ziemlich kleine Gate-Charge haben. Allerdings verstehe ich den Sinn des 15Ohm/1.8nF Konstruktes nicht wirklich... Wer hat denn schonmal mit GaN Fet's gearbeitet hier im Forum?
