Vielleicht solltest Du Dir mal solche GaN genauer anschauen - die haben
nämlich eine ganz andere Input-Charakteristik als normal Mosfet.
Die fangen nämlich schon bei ganz wenigen Volt am Gate an zu leiten.
Dabei meine ich nicht die DS-Strecke, sondern die GS-Strecke.
Deswegen steht im DB auch ein max. Gatestrom anstatt max. Gatespannung,
und für negative Signale immerhin noch eine max. neg. Spannung.
Der 560er R soll dabei den GS-Strom begrenzen. Da aber 560Ohm selbst bei
den niedrigen Input-Kapazitäten ziemlich die Schaltflanken am Gate
verschleift, wurde eben noch die niederohmigere RC-Serienschaltung
parallelgeschaltet, um für die steilen Impulsflanken einen direkteren
Weg zum Gate zu geben.
Einen GaN kann man also nicht einfach mal so an einen normalen
Gatetreiber schalten, der das Gate dann einfach so mal mit Ugs=12V
beaufschlagen würde, was den GaN himmeln würde.
Also eigentlich eher verwandt mit der Ansteuerung von BJT-Teilen.