Unterschiedliche FETs bei Syncronwandler

Der mittlere Strom durch das untere FET ist je nach Verhältnis zwischen 
Ein- und Ausgangsspannung deutlich höher als der durch das obere FET. 
Daher kann man dort ein kleineres FET verbauen.

Die Gründe dafür sind mannigfaltig, einer ist natürlich das die 
kleineren FETs mit weniger Strom teilweise billiger sind. Natürlich 
spart man sich auch Platz auf dem PCB, grade für hochintegrierte Wandler 
ist das interessant. Außerdem sind die Kapazitäten (Gate, input, output, 
etc.) auch teilweise deutlich kleiner bei den kleineren FETs was schalt 
Verluste einspart. Die sind bei den hohen Frequenzen der GAN FETs je 
nach Anwendung ausschlaggebender als die Verluste durch den höheren 
Innenwiederstand. Wenn man damit einen mehr Phasen Konverter baut kommt 
man gut und gerne mal auf 97% Effizienz und mehr.

Guest schrieb:
> ... das untere FET ...
https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
Tran­sis­tor Substantiv, maskulin –

Joshi schrieb:
> GAN Fets
Hast die überhaupt irgendeine Idee, was diese Buchstabenkombinationen 
bedeuten?

Danke an Guest für die ausführliche Erklärung. Das Ganze macht doch 
Sinn, wenn man so darüber nachdenkt. Natürlich muss man den Überblick 
über die ganzen Einzelheiten haben. An die Kapazitäten hätte ich so nie 
gedacht. Macht aber natürlich Sinn, wenn man im MHz Bereich schaltet. 
Das mit dem Strom hatte ich mir gedacht da der Eingangsstrom ja 
niedriger als der Ausgangsstrom ist.

Armin X. schrieb:
> Gute Frage.
> Ähnliches war mir früher auch schon bei Computermainboards aufgefallen.
> Das warum hatte ich aber nirgends nachgefragt.

Dann hast du ja jetzt eine Erklärung bekommen :D

omg schrieb:
> Guest schrieb:
>> ... das untere FET ...
> https://de.wikipedia.org/wiki/Feldeffekttransistor
> Tran­sis­tor Substantiv, maskulin –

Klugscheißer mag niemand….
Erst recht keine die nichts Sinnvolles beitragen.

omg schrieb:
> Hast die überhaupt irgendeine Idee, was diese Buchstabenkombinationen
> bedeuten?

Stell dir vor das weiß ich. Soll ich es dir richtig aufschreiben?
GaN-FET -> Galliumnitrid-FET

Ich weiß das sie deutlich geringere Kapazitäten als Silizium FETs haben 
und dadurch erheblich weniger schalt Verluste. Die genauen technischen 
gründe kenne ich darum geht es mir im ersten Ansatz aber auch nicht. Ich 
meine auch gelesen zu haben das sie keine Body-Dioden haben.

Joshi schrieb:
> Die genauen technischen
> gründe kenne ich * darum geht es mir im ersten Ansatz aber auch nicht.

da fehlt ein *nicht :O

Ich entschuldige mich in aller Form dafür das ich in Deutsch nie so gut 
war. Dafür verstehe ich etwas von meinem Fachgebiet in dem es relativ 
egal ist ob es der oder das FET ist solange die Schaltung funktioniert. 
Dass es sich bei einem FET um einen Transistor handelt ist mir bekannt 
und auch das es DER Transistor heißt. Leider habe ich mir in Ungedanken 
irgendwann mal dieses „DAS“ angewöhnt und werde es nicht mehr los. Ich 
denke das ist auf jeden Fall eine schlechte Angewohnheit. Ich sollte mir 
lieber angewöhnen hochnäsig und beleidigend zu sein wie es oftmals in 
diesem Forum gewünscht ist.

Natürlich tut es mir leid, wenn aufgrund dieses Grammatikalischen 
Patzers der Lerneffekt bei meinen meist Hilfreichen Antworten ausbleibt. 
Ich kann verstehen, wenn das lesen eines solch missgestalteten Satzes 
Unwohlsein hervorruft.  Ich hoffe nur das ich dem TO damit nicht die 
Lust an der Elektronik geraubt habe und er sich trotz meiner Unfähigkeit 
weiterhin mit diesem Interessanten Thema auseinandersetzt. Ich für 
meinen Teil werde denke ich das Fachgebiet wechseln, anscheinend bin ich 
dafür ungeeignet.