Hi,
siehe angehängt Schaltung, sofern der Schalter geöffnet und wieder
geschlossen wird, ist das Gate hochohmig, da aber Transistoren anders
als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen
und das Gate somit auf GND gezogen werden oder? Mir wurde hier aber ein
PullDown empfohlen, weil es ansonsten durch auftretendes Rauschen dazu
kommen könnte, das der Transitor schaltet, was ungewollt auf keinen fall
passieren darf. Ist das gerechtfertigt?
Gruß
Also, wenn man die paar Striche da als Schaltung erkennen soll....?`
Sieht eher aus wie ein Male-Versuch einer Schaltung, oder was sollen da
die 1 ... 4 bedeuten?
Die Kollektoren der beiden Transen schalten was direkt auf Masse?
Male einfach ne Skizze auf Papier und häng sie vollständig an, deine
Fantasie -Schaltung hat am Rest sicher noch mehr Hänger oder Würger.
Jörg R. schrieb:> Welches Gate? Ich sehe Basis, Kollektor, Emitter.
Sorry hast recht, war mit den Gedanken wo anders, denke es wird aber
klar sein was ich meinte.
Jörg R. schrieb:> Nein, sowas aber auch.
Was meinst du damit?
Niemand schrieb:> Also, wenn man die paar Striche da als Schaltung erkennen soll....?`> Sieht eher aus wie ein Male-Versuch einer Schaltung, oder was sollen da> die 1 ... 4 bedeuten?> Die Kollektoren der beiden Transen schalten was direkt auf Masse?> Male einfach ne Skizze auf Papier und häng sie vollständig an, deine> Fantasie -Schaltung hat am Rest sicher noch mehr Hänger oder Würger.
Darum gehts doch aber gar nicht, sondern um die von mir gestellte,
grundsätzliche Frage, brauch man am Transistor wie beim MOSFET einen
pulldown oder nicht?
> Ist ein pulldown am Transistor Gate erfoderlich?
Da ein Transistor kein Gate hat: ganz klar NeinLuca schrieb:> siehe angehängt Schaltung, sofern der Schalter geöffnet und wieder> geschlossen wird, ist das Gate hochohmig, da aber Transistoren anders> als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen
Was nennst du "GE"?
> und das Gate somit auf GND gezogen werden oder?
Da ist kein Gate!
> Mir wurde hier aber ein> PullDown empfohlen, weil es ansonsten durch auftretendes Rauschen dazu> kommen könnte, das der Transitor schaltet
An diesem Satz ist so gut wie alles falsch.
An der Schaltung auch. Man kann Bipolartransistoren basis-emitterseitig
nicht direkt parallel schalten. Die Stromaufteilung wird vollkommen
willkürlich sein.
Luca schrieb:> Mir wurde hier aber ein> PullDown empfohlen, weil es ansonsten durch auftretendes Rauschen dazu> kommen könnte, das der Transitor schaltet, was ungewollt auf keinen fall> passieren darf.
Wo wurde das empfohlen?
Nehmen wir mal an Du meinst tatsächlich einen Mosfet...
Dann lässt sich die Frage nach dem Pulldown nicht pauschal beantworten.
Am Ausgang eines uC angeschlossen ist ein Pulldown ratsam. Bei anderer
Ansteuerung kommt es auf die Schaltung an. Und da hier keine vernünftige
Schaltung vorliegt lässt sich die Frage nicht weiter beantworten.
Auf keinen Fall aber darf das Gate in der Luft schweben.
Und was heißt Pulldown? Bei einem P-Channel setzt man eher einen Pullup
ans Gate.
Luca schrieb:> Jörg R. schrieb:>> Welches Gate? Ich sehe Basis, Kollektor, Emitter.>> Sorry hast recht, war mit den Gedanken wo anders, denke es wird aber> klar sein was ich meinte.
Darauf was Du meintest kommt es aber nicht an. Du erwartest präzise
Antworten, dann liefere auch präzise Informationen was das Problem
angeht.
Du solltest für zukünftige Anfragen das Zeichnen und beschreiben um was
es geht. Das Forum ist ja keine Rätselbude.
Luca schrieb:> siehe angehängt Schaltung, sofern der Schalter geöffnet und wieder> geschlossen wird, ist das Gate hochohmig, da aber Transistoren anders> als MOSFETs stromgesteuert sind, müsste doch dennoch Strom an GE fließen> und das Gate somit auf GND gezogen werden oder?
sinnvoll wäre es schon, 1K bis 100 K an die Basen zu hängen...
Teste es mal selbst aus...
Luca schrieb:> siehe angehängt Schaltung
Die funktioniert sowieso nicht.
Einer der beiden Bipolartransistoren leitet mehr als der andere weil
seine UBE (wegen Herstellungsschwankungen) geringer ist, dann wird der
durch ihn hindurchfliessende Strom ihn wärmer machen wodurch er noch
weniger UBE bekommt und allen Strom vom Schalter übernimmt.
Du brauchst schon 1k vom Schalter für jeden.
Aber vielleicht waren es ja auch MOSFETs deren Schaltezichen du nicht
kennst. Die haben ein Gate. Da ist das Gate bei offenem Schalter einfach
offen, das darf nicht sein , da müssten die 1k nach Masse. In die
uleitung vom Schalter brauchen bei denen keine 1k.
So wie ich das weiß sollte man ein pull down verbauen. Aus emv gründen
ja aber auch weil bei einem mosfet eine parasitäre kapazität umgeladen
werden muss damit der mosfet schaltet, deswegen ist es ratsam auch einen
vorwiderstand zu nutzen obwohl mosfets spannungsgesteuert sind. Über den
pull down kann sich die kapazität entladen damit der mosfet wieder
ausschaltet.
Luca schrieb:> [...] da aber Transistoren anders als MOSFETs> stromgesteuert sind, [...]
<Gebetsmühle>
Wofür steht eigentlich das "T" in MOSFET?
</Gebetsmühle>
Luca schrieb:> Darum gehts doch aber gar nicht, sondern um die von mir gestellte,> grundsätzliche Frage, brauch man am Transistor wie beim MOSFET einen> pulldown oder nicht?
Ja, ein gemeinsamer Pulldown ist ausreichend. Jeder Transistor bekommt
aber seinen eigenen Basisvorwiderstand.
Grundsätzlich leitet ein Si-Transistor bei offener Basis nur nA durch
die CE-Strecke. So gesehen wäre es kein Problem, auf einen Pulldown zu
verzichten, wenn nicht gerade der Kollektorarbeitswiderstand auch extrem
hoch ist.
Aber:
- es gibt Transistoren mit sehr großem hFE, bis zu 1000. Damit steigt
die Empfindlichkeit, sich was einzufangen (Einstrahlung). Es reicht dann
schon, mit dem Finger die Basis zu berühren, um sich Netzbrumm
einzufangen. Ähnliches Problem bei langen Leitungen zu der
Ansteuerquelle.
- Transistoren werden auch im Schaltbetrieb an Logikgatterausgänge (oder
µC) angeschlossen. Ein Pulldown direkt an der Basis wird den Störabstand
verbessern. Ab ca. 0.5V ... 06V beginnt der zu leiten, während das
Logiksignal z.B. einen Hub von 5V hat. Hier ist es z.B. sinnvoll, einen
Spannungsteiler davor zu machen, so dass diese Spannung erst ab etwa dem
halben Logikpegel erreicht werden.
Zu deiner Schaltung oben: Die beiden Basen direkt zusammenschalten ist
nicht sinnvoll. Das geht einigermaßen gut, wenn die beiden Transistoren
z.B. auf einem Chip sind und damit gut thermisch gekoppelt; meist hat
man das aber nicht.
Also: direkt vor die Basis jeweils 1k-10k legen (je nach Last am
Kollektor) und entweder einen Pulldown an den Schalter oder besser, nach
meinen obigen Ausführungen, nochmals 1k-10k direkt zwischen B und E (bei
3.3V).
Also so:
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o o
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.-. .-.
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'-' | '-'
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| | |
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\| __ | ___ |/
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<| | | |>
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| .-. .-. |
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| | | | | |
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| '-' '-' |
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