Basiswiderstandwählen - Fragen zum Artikel von hier

Man braucht nur die Sättigungspannungen miteinander vergleichen.

Tabelle :

Ib= 5mA , Ic= 100mA ==>  900mV Sättigungsspannung Vce

Diagramm :

Ib= 10mA , Ic= 100mA ==>  < 200mV Sättigungsspannung Vce

Ist eine Eigenheit der Sättigungsspannung, je kleiner diese umso mehr 
Basisstrom muss im Verhältnis zum Kollektorstrom aufbracht werden.

BJT NPN schrieb:
> also hFE(sat) = 10
>
> Also nehme ich an dass
> hFE(sat)=20 sein muss. Wo liegt der Fehler?

Sowas wie hFE(sat) gibt es nicht.

Im Sättigungsbereich wird der Kollektorstrom nicht mehr vom Transistor 
bestimmt, sondern vom äußeren Kollektorwiderstand.

https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor#S%C3%A4ttigungsbereich

Achim S. schrieb:
> Tabelle 2 sagt, dass mit I_c/I_B = 20 ein V_CE_sat von typ. 90 mV
> erreicht wird (bei I_C = 1mA)
Es gibt zwei Einträge (ich sehe keinen mit Ic=1mA):
Bei Ic = 10mA mit VCE(sat) = 90mV
Bei Ic = 100mA mit VCE(sat) = 250mV

Achim S. schrieb:
> Fig. 4 sagt, dass mit der doppelten Übersteuerung ein geringeres
> V_CE_sat erreicht wird: für I_C/I_B = 10 ein V_CE_sat von typ. 40mV (bei
> I_C = 1mA).
Ic im Fig 4 geht von 1 bis 1000 mA.
bei Ic=1mA wird das ca. 38/39 mV für Vce(sat) sein; Vbe(sat) ca. 700mV
bei Ic=10mA wird es so ca. 47 mV für Vce(sat) sein; Vbe(sat) ca. 
720/730mV

In der Tabelle steht nichts von Vbe(sat).

Stellt man also dies vergleichbaren Tabellen und Graphenwerte gegenüber 
hat man:
Tabelle:
  Ic=10mA mit VCE(sat)=90mV
und Graph:
  Ic=10mA wird es so ca. 47 mV für Vce(sat) sein; Vbe(sat) ca. 720/730mV

Offensichtlich ist Vce(sat) ungefähr doppelt so groß, warum bleibt aber 
offen. Es sind keine besonderen Bedingungen angegeben.

In jedem Fall ist der Artikel nicht deutlich genug inwiefern man hFE 
abschätzen soll.

>Das ist kein Widerspruch, es werden nur zwei unterschiedlich starke
>Übersteuerungen beschrieben.
Woher die kommen und warum ist aber unklar. Und genau darum geht es.

Gerald K. schrieb:
> Man braucht nur die Sättigungspannungen miteinander vergleichen.
>
> Tabelle :
>
> Ib= 5mA , Ic= 100mA ==>  900mV Sättigungsspannung Vce
Vielleicht in der Zeile verrutscht? Vce ist nur 250mV, wäre aber 
immernoch etwas höher als im Diagram. So weit so gut.
>
> Diagramm :
>
> Ib= 10mA , Ic= 100mA ==>  < 200mV Sättigungsspannung Vce
>
Wo es vielleicht 150/170mV ist, also kleiner 200mV, wie von dir 
behauptet.

> Ist eine Eigenheit der Sättigungsspannung, je kleiner diese umso mehr
> Basisstrom muss im Verhältnis zum Kollektorstrom aufbracht werden.
Das ergibt einen gewissen Sinn, aber die Frage bleibt warum der Wert aus 
der Tabelle nirgends im Graphen auftaucht.
Er müsste sich doch dann bei ca. Vce=250mV wiederfinden. Bei dieser 
Spannung ist aber Ic deutlich größer als 100mA.

Irgendwelche Bedingungen fehlen da noch.

Achim S. schrieb:
> doch, eigentlich schon. Die Bedingungen sind im einen Fall I_C/I_B=20
> und in anderen Fall I_C/I_B=10.
Da sind wir wieder bei der ursprünglichen Frage. Welcher Parameter 
beeinflusst das? Ich sehe dazu keine Angaben die es erklären.

Peter T. schrieb:
>  aber die Frage bleibt warum der Wert aus
> der Tabelle nirgends im Graphen auftaucht.

Weil Tabelle und Figure 4 bei unterschiedlichen Betriebsbedingungen 
aufgenommen worden sind:

Die Betriebsbedingung für die Tabellenwerte kann man sich anhand der in 
der Tabelle angegebenen IB und IC ausrechnen: IC = 20 IB

Die Betriebsbedingung für Figure 4 findet man direkt oben links in 
der Ecke von Figure 4 IC = 10 IB

> Er müsste sich doch dann bei ca. Vce=250mV wiederfinden. Bei dieser
> Spannung ist aber Ic deutlich größer als 100mA.

VCE ist eine Funktion von IB und IC. VCE wird dann VCE(sat) genannt, 
wenn der Wert linksseits des Knicks auf der zugehörigen IB-Kurve im 
Ausgangskennlinienfeld liegt. Damit liegt dann der zugehörige IC 
unterhalb des Knicks.

Die Knicke in den IB-Kurven sind, physikalisch bedingt, keine sauberen 
Knicke, sonder Kurven. Das ist der Übergangsbereich zwischen 
Sättigungsbereich und Verstärkungsbereich. Es gibt keine genauen Punkte 
wo aus dem Übergangsbereich (der sog. Quasi-Sättigung) der 
Sättigungsbereich wird, also wie weit links vom Knick auf der IB-Kurve 
Sättigung anfängt.

Daher ist es üblich (vielleicht gibt es da sogar eine Norm), dass man 
VCE(sat) zu Vergleichszwecken zwischen Transistoren typischerweise bei 
IC = 10 IB spezifiziert. Siehe Figure 4. Bei IC = 10 IB ist jeder 
"normale" Transistor anständig in der Sättigung.

Die Macher des zitierten Datenblatts sind offensichtlich der Meinung, 
dass ihr Transistor auch bei IC = 20 IB anständig in der Sättigung ist 
(ausreichend linksseitig vom Knick) und haben das in die Tabelle 
geschrieben.

Zum Schluss läuft es darauf hinaus wie viel VCE(sat) man maximal in der 
Schaltung tolerieren möchte, unter Berücksichtigung der enormen 
Fertigungstoleranzen von Transistoren, und wie schnell man aus der 
Sättigung wieder heraus kommen möchte/muss. Je tiefer der Transistor in 
der Sättigung ist desto länger braucht er zum Öffnen.

Egon D. schrieb:
> Richtig dicke Leistungstransistoren haben auch
> manchmal Angaben für Ic/Ib = 5.

Der MOSFET ist dem BJT sein Tod.

https://en.wikipedia.org/wiki/Semiconductor_industry#Market_share