Gast
#6653547
Hallo zusammen es handelt sich um ein kommerzielles Projekt. Was bedeutet, dass ich nicht unbegrenzt technische Details teilen kann. Ich habe einen Highside-Switch mit einem dual bipolar-Transistor (NPN-PNP) realisiert. Der Kunde fordert die Erkennung von Kurzschluss zu KL30 und KL31. Die Fehlererkennung habe ich mit einem Spannungsteiler vom High-side-Ausgang und einem npn-Transistor realisiert. Der Kollektor ist mit einem 10k PU auf 3V3 gezogen. Ich habe am Stecker ein klassisches pi-Filter (100nF - Ferrite Bead (600R) - 100nF). Allerdings habe ich beim BCI-Test nun Probleme. Ich habe am Kollektor des NPN-Eingangs-Transistors Spannungen im Bereich von -2V...4V. Ich habe den Eingangstransistor mal testweise durch einen nmos-T ersetzt. Dann war alles gut - zumindest bei Common Mode test. Wenn ich allerdings den GND aus der Clamp herausnehme fängt mein nmos-T zum willkürlichen Schalten an. Nun meine Frage: Wie entgegnet ihr der BCI-Prüfung: Kapazität ohne Ende am Eingang welche den Störstrom gegen GND kurschließen soll. Oder mit einem FB welches den Störstrom in Wärme umsetzen soll? Gruß Entwickler mit Problemen
