Gast
#6874767
Hi. Es geht um den FET DMN3042L. Gate ist mit 22k in Serie an den µC angeschlossen, damit er nicht so schnell schaltet. Der µC läuft mit 3.6V. Selbst mit 22k zieht der µC im Trockenlauf (ohne Spannung an Drain) das Gate in 20 us auf 2/3 VCC und dann natürlich einige us später voll auf VCC. Ich nehme ein Labornetzteil, stelle es auf 5V/1A ein und schliesse Plus an Drain, Minus an Masse an. Wenn ich das Gate jetzt umschalte, funktioniert es wie erwartet: Bei Gate=High, sinkt Vdrain auf ~0V ab. Bei Gate=Low steigt Vdrain binnen einiger ms auf 6V an. Die 6V erkläre ich mir mit der Induktivität. Was mich ein wenig wundert ist, dass die Abschaltung (Gate=Low) mit Stromfluss 3ms dauert, ohne Stromfluss aber nur 20us. Das Problem: Wenn ich jetzt 20V/1A anlege, brennt der beim ersten Test zuverlässig (auch ein zweiter) durch. Das äussert sich dahingegend, dass bei Gate=High Vdrain wie erwartet auf 0V geht, aber bei Gate=High bleibt Vdrain auf 0V. Messe ich jetzt hinter den 22k, also am Gate, stelle ich fest, dass der Pegel konstakt bei 0V bleibt. Es ist wohl ein GS-Durchbruch. Vor dem Widerstand kann ich noch ganz normal schalten. Das geht über mein Verständnis. Wenn er jetzt auf 33V hochgeschnellt wäre, hätte ich mir das durch einen Avalanche erklären können, aber VDrain bleibt immer unten.... was mache ich falsch?