Gast
#6890021
Hallo Community, ich beschäftige mich gerade mit dem Aufbau von LLC-Netzteilen und habe mir dazu einige Designs von Infineon angesehen. Beim 130 W LLC Referenzdesign ist mir allerdings etwas aufgefallen, was ich mir nicht erklären kann. In der einschlägigen Literatur und im Netz, unter anderem auch in einer Application Note von Infineon, findet man den Aufbau des Resonant Tank bei einer Halbbrücke wie in LLC_resonant_tank_infineon.PNG zu sehen. Schaut man sich dagegen den Schaltplan des 130 W Referenzdesign zum ICL5120 an (https://www.infineon.com/cms/de/product/evaluation-boards/ref-icl5102-u130w-cc/), dann sieht man, dass hier der Resonant Tank anders an den HB angeschlossen ist und zwei Kapazitäten vorhanden sind, von denen eine gegen Masse geht. Normalerweise wird der Resonant Tank zwischen Drain und Source des Low Side MOSFETs angeschlossen und es befindet sich lediglich eine Kapazität in Reihe zu den Induktivitäten und keine weitere Kapazität gegen Masse. Ich kann mir absolut nicht erklären, wie das funktioniert und warum es hier so gemacht wird. Worin liegen hier die Unterschiede, Vor- und Nachteile? Vielen Dank für eure Hilfe

