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3.3V und 12V mit MOSFET zuschalten
Gast
#6893382
Hallo zusammen Kann ich 3.3V und 12V wie im Schema dargestellt mit einem Mikrocontroller zuschalten? PWR ist an einem digitalen I/O (high 3.3V) angeschlossen. Vielen Dank für eine kurze Rückmeldung.
Angehängte Dateien:
Gast
#6893398
Ja. Üblicherweise ist die U_GS-Grenze in beiden Spannungsrichtungen gleich groß definiert - ein Blick ins Datenblatt bestätigt dies ggf. Dein T2 erhält im AUS-Zustand eine positive Spannung von knapp 9V und im EIN-Zustand eben ≈ -3.3V. Heißt: es muss ein LL-Typ sein, deshalb im DB nachschauen, ob er mindestens ±10V für U_GS kann!
Gast
#6893433
Super, vielen Dank! T2 und T3 haben einen Vgs von ±20V.
Gast
#6893452
Max schrieb: > Vielen Dank für eine kurze Rückmeldung. R26 ist mit 100 kΩ allerdings arg groß, um die FETs beim Abschalten zu schließen, d.h. sie verbringen relativ viel Zeit im linearen Bereich. Ob das noch ok ist, hängt vom zu schaltenden Strom, vom FET-Typ und von der Schaltfrequenz ab. Ich kann auch diese ApplicationNote von OnSemi empfehlen: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/AND9093-D.PDF
Gast
#6893466
Max schrieb: > Vielen Dank für eine kurze Rückmeldung. Angenommen der T2 ist ein P-MOSFET der schon bei ca. 2.7V (2.8V, 2.5V) voll durchschaltet (RDSon im Datenblatt spezifiziert) und zumindest +/-12V am Gate (gegenüber S) aushalt. Nicht jeder kann das, manche haben +/-8V Maximum.
Gast
#6893506
Wolfgang schrieb: > R26 ist mit 100 kΩ allerdings arg groß, um die FETs beim Abschalten zu > schließen, d.h. sie verbringen relativ viel Zeit im linearen Bereich. Das stimme ich zu, ist mir nach Abschicken meines Beitrags auch noch eingefallen. R26 und auch mehr noch R29 sollten mindestens eine Zehnerpotenz kleiner sein. Mein Wahl wäre: R26=10k, R29= 1k.
Gast
#6893516
Vielen Dank für eure Antworten. Werde das dann so umsetzen.
Gast
#6893530
HildeK schrieb: > Mein Wahl wäre: R26=10k, R29= 1k. Eher umgekehrt, oder? Immerhin sitzt da noch T6 mit seiner Stromverstärkung dazwischen. Antwort schreiben |
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