Mosfet Verstärker

Thomas Gast #6929778
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Hallo Leute,

in der Hochschule haben wir aktuell ein Projekt in welchem wir eine 
Drain Schaltung bzw. Verstärker entwickeln und aufbauen sollen. Mit ist 
klar das das Gate des Mosfet vorgespannt werden, so dass das Gate 
durchsteuert und so über dem Drainwiderstand ca. die hälfte der 
Betriebsspannung abfällt.


Dann wird das Eingangssignal welches verstärkt werden soll, wird 
kapazitiv an das Gate eingekoppelt. Soweit so gut.

Um Das ganze richtig auszulegen und die Verstärkung des eigentlichen 
Systems festzustellen, wird die Transkonduktanz benötigt.

Mein Problem ist hier, dass ich mehrere Zusammenhänge gefunden habe, die 
diese beschreiben.

GM=ID/UGS

GM=2*ID/(VGS-VTH)

Welcher Zusammenhang ist hier der Richtige?

Kann mir da jemand weiterhelfen ?
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MaWin Gast #6929788
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Thomas schrieb:
> Welcher Zusammenhang ist hier der Richtige?

Eher der zweite, denn es interessiert die Steilheit im Arbeitspunkt, und 
der liegt jenseits und UGS(th).

Aber: die Zahlen sind grobe Schätzwerte, auslegen kann man den 
Verstärker damit nicht. UGS(th) schwankt um 1:2 und GM ebenfalls.

Eher aufbauen und mit Trimmpotis an das Exemplar anpassen.
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Axel S. #6929900
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MaWin schrieb:
> Thomas schrieb:
>> Du meinst das es dann nur grobe Richtwerte sind und es dann besser
>> ist in der Praxis aufzubauen und zu testen?
>
> Ja.

Allerdings kann man eine Verstärkerschaltung mit MOSFET auch 
gegenkoppeln - mit einem Widerstand in der Source-Leitung. Im Prinzip 
genauso wie mit einem Bipolartransistor in Emitterschaltung. Dann werden 
die Eigenschaften (insbesondere die Spannungverstärkung) unabhängiger 
von den Exemplarstreuungen des aktiven Bauteils.
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