Gast
#6929778
Hallo Leute, in der Hochschule haben wir aktuell ein Projekt in welchem wir eine Drain Schaltung bzw. Verstärker entwickeln und aufbauen sollen. Mit ist klar das das Gate des Mosfet vorgespannt werden, so dass das Gate durchsteuert und so über dem Drainwiderstand ca. die hälfte der Betriebsspannung abfällt. Dann wird das Eingangssignal welches verstärkt werden soll, wird kapazitiv an das Gate eingekoppelt. Soweit so gut. Um Das ganze richtig auszulegen und die Verstärkung des eigentlichen Systems festzustellen, wird die Transkonduktanz benötigt. Mein Problem ist hier, dass ich mehrere Zusammenhänge gefunden habe, die diese beschreiben. GM=ID/UGS GM=2*ID/(VGS-VTH) Welcher Zusammenhang ist hier der Richtige? Kann mir da jemand weiterhelfen ?