Transistor Gate-Source-Leckstrom

B.P. schrieb:
> In den Datenblättern von Transistoren ist häufig ein
> Gate-Source-Leckstrom angegeben (meist +- 100nA bei maximaler
> Steuerspannung).
>
> Meine Frage ist nun, welche Bedeutung dieser in der Praxis hat.

Kommt auf die Anwednung an. Bei Schaltstufen ist es egal, denn der 
Treiber kümmert sich keine Sekunde um 100nA Leckstrom.
Bei sehr hochohmigen Analoganwendungen (Vorverstärker) ist er natürlich 
wichtig.

> Angenommen ich möchte mit einem, an den Transistor angeschlossenen
> Messgerät einen Strom von 1uA messen, fließen die 100nA dann in die
> Messung ein

JA!

> oder fließt der Leckstrom nur im Steuerkreis des
> Transistors?

Ja, aber das ist ja auch dein Meßkreis. Bei OPVs nennt man das 
Eingangsstrom, und der ist bei Typen mit FET-Eingang sehr niedrig, so i 
Bereich 1nA und weit darunter. Bipolartpen haben eher 1nA und aufwärts, 
eher 10-100nA. Es gibt aber immer Ausnahmen.

Bei diskreten FETs ist die Spezifikation des Leckstroms Gate-Source 
meist ein formaler Wert, der in der Praxis oft deutlich kleiner ist. Im 
Datenblatt stehen 100nA, weil man die in der Produktion relativ schnell 
messen und damit garantieren kann.

Falk B. schrieb:
> Im
> Datenblatt stehen 100nA, weil man die in der Produktion relativ schnell
> messen und damit garantieren kann.

Ja, das ist die Messgrenze des Prüfautomaten. Ein MOSFET, der einen so 
hohen Gatestrom hat, ist kaputt.