Frage zum IGBT Aufbau

Martin K. Gast 10.01.2023 22:14 #7312307

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Hallo,

ich verstehe den Aufbau eines IGBTs nicht wirklich: bei allen Quellen, die ich bis jetzt gefunden habe (auch Wikipedia), gibt es irgendwo unterm isolierenden Gate bzw in der nähe des Emitteranschlusses N+ Inseln.

Was bitte ist eine N+ Zone? ich verstehe die n-Dotierung, aber eine N-Dotierung bedeutet doch, dass es einen Elektronenüberschuss gibt, und das Material demnach N- heißen sollte? Kann mir bitte jemand erklären, was es mit dieser N+ Schicht auf sich hat?

Danke :)

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Hsc Gast 10.01.2023 22:24 #7312318

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Eine N+ Schicht ist stärker dotiert aus eine N- Schicht. Das plus und minus hat nichts mit der Art der Dotierung zu tun, das steht ja schon im N und P.

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Martin K. Gast 11.01.2023 07:29 #7312479

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Ok, danke für diese Info, das erklärt es natürlich! D.h. die N+ Zone ist negativ dotiert, hat damit einen Überschuss an negativen Ladungsträgern, und ist stärker dotiert als die "normale" N-Zone (hat damit mehr negative Ladungsträger wie die "normale" N-Zone). Ist das korrekt?

Das + hier bei N+ ist wirklich verwirrend vor allem habe ich dazu auch nichts bei der Recherche gefunden...

Danke!

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Alfred B. (alfred_b979) 11.01.2023 11:03 #7312663

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Martin K. schrieb: