Hallo!
Folgendes Problem: Gegentakt-Halbbrückensperrwandlernetzteil 60 V, 20 A ist defekt, es sterben die Schalttransistoren (FDA50N50 = 500 V, 50 A).
Habe nochmals neue Transistoren verbaut und das NT vorsichtig mit reduzierter Spannung am Trennstelltrafo betrieben. Damit läuft es. Mir ist jedoch die recht hohe Induktionsspannung am Highside-MOSFET aufgefallen (267 V bei einer Zwischenkreisspannung von 136 V). Eigentlich müßte die doch über die Freilaufdiode des Lowside-Transistors in den Zwischenkreis abgebaut werden, wenn ich das richtig verstehe. Die Zwischenkreiselkos (2x 1500µ, 250 V) sind von der Kapazität und vom ESR her unauffällig. Rechnet man die 267 V auf 325 V Zwischenkreisspannung hoch, werden die zulässigen 500 V Uds weit überschritten. Das ist meine Theorie, weshalb die Transistoren sterben. Ist einer durch, macht der andere einen Brückenkurzschluß, dann sind beide hinüber.
Anbei ein Oszillogramm zum Einschaltzeitpunkt. Gelb = Gatespannung des HS-Transistors, blau = Drain-Source-Spannung des HS-Transistors, rot = Strom aus dem Zwischenkreis.
Die Gatespannung ist zwar recht hoch (+/-18 V, begrenzt mit Z-Dioden), aber bleibt noch unterhalb von 20 V. Snubber über der Primärwicklung ist 51R/5W mit gemessenen 1n MLCC.
Hat jemand einen heißen Tip? Mir gehen langsam die Ideen aus.

