Hallo ich hab da ein paar Fragen zu dem IS42S16160G SDRAM, im voraus Danke für alle Antworten und Hilfe. Das Datenblatt hab ich durchgelesen, jedoch hab ich noch einige Verständnisfragen. Da ich das SDRAM mit einer Burst Length von "Full Page" beschreiben möchte und das Auslesen mit einer Burst Length von "1" wollte ich fragen ob es möglich ist die Burst Länge nach der Initialisierung des SDRAMS zu verändern, je nach ob geschrieben oder gelesen werden soll. Da ich ein SDRAM mit "8,192 rows by 512 columns by 16 bits" habe ist eine FULL Page Length 512 Adressen groß, da ja 512 columns vorhanden sind, oder? Bitte sagen wenn ich Blödsinn rede. Was macht man eigentlich mit dem Kommando PRECHARGE? ......The PRECHARGE command (see figure) is used to deactivate the open row in a particular bank or the open row in all banks. Wird beim Auto PRECHARGE das nach jedem BURST automatisch gemacht? und wenn man die deaktiviert hat, muss man die mit dem Kommando Precharge machen, oder? (ich weiß, dass alles im Datenblatt steht, aber da es in English ist fällt es mir nicht leicht alles genau zu verstehen) Im Anhang findet Ihr das Datenblatt. Danke für die Hilfe mgf