Ansteuerschaltung für Mosfet - was macht die Diode am Gate?

Heinz-Rudolf schrieb:

Soll die die Abschaltzeit verkürzen weil über Diode und kleinerem Widerstand der Drive-Ausgang vom vorgeschalteten Schaltregler niederohmiger angebunden ist?

Ja.

Bei FETs dran denken, die sind im Vergleich zu Bipolartransistoren spannungs- und nicht stromgesteuert. Das Gate verhält sich wie ein Kondensator, der ge- und wieder entladen werden möchte. Wenn der FET schnell schalten soll, dann muss man die Gate-Charge entsprechend schnell umladen.

Außerdem erzeugt eine schnell steigende Spannung am Drain durch die Miller-Charge ein Miller-Plateau beim Entladen der Gate-Kapazität. Mit höherem Gate-Strom lassen sich diese Effekte verringern.

Der tiefere Grund ist, dass die Schwellspannung, bei der der FET leitend wird, nicht bei der halben Ansteuerspannung, sondern niedriger liegt. Das bewirkt, dass mit nur einem Widerstand R8 (47 Ohm) der FET schneller einschaltet als ausschaltet. Um das Ausschalten zu beschleunigen, entlädt man das Gate zusätzlich durch den R8 (10 Ohm).

Torsten B. schrieb:

Der tiefere Grund ist, dass die Schwellspannung, bei der der FET leitend wird, nicht bei der halben Ansteuerspannung, sondern niedriger liegt.

Man bekämpft Oszillation (Ringing) im Zusammenhang mit der Millerkapazität. Das kann insbesondere bei Leistungs-PWM-Schaltungen (z.B. Wechselrichter mit Trafo) im Batteriespannungsbereich ein "tödliches" Problem sein.

Uwe

Vielen Dank für die Erläuterungen!

Heinz-Rudolf schrieb:

R10

= Torsten B. schrieb im Beitrag #7804368:

R8

= R6