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Suche IGBT MOSFET ohne Bodydiode
Gast
#565092
Hallo Leut's, ich suche einen IGBT oder MOSFET <N> so 40... A 60.... V ohne Bodydiode oder Ähnliches. Die Transistoren sollen zwischen verschiedenen Akkus, eines Ladegeräts schalten. Gibt es Excel Tabellen für Halbleiter?? Gruß Berny Sowas gibt es nicht. Da musst du 2 Bauteile antiseriell verwenden.
Gast
#565101
Könntest Du antiseriell etwas weiterführend erläutern. Source an Source, Gate an Gate, die beiden Drains sind Ein und Ausgang. Sorry, die Antwort kommt etwas spät. Hoffentlich wirf man mir nicht Thread-Nekrophylie vor. Also IGBT's gibt's auch ohne die Reverse-Diode. Heisst dann zum Bleistift STGP10NC60K ok, dieser hat nicht die geforderten 40A. SCR Peter X. wrote: > Also IGBT's gibt's auch ohne die Reverse-Diode. > Heisst dann zum Bleistift STGP10NC60K Im Datenblatt steht aber was anderes: Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
Gast
#980779
Hallo Peter. Je nach dem was er macht, wäre er die Bodydiode auch "los", wenn er den FET umdreht, d.h. Source und Drain vertauscht. Das Teil wirkt dann wie eine "normale" Diode (über die Bodydiode). Im Leitfalle der Diode kann er dann durch passendes synchromes Ansteuern des FETs die Diode niederohmig mit dem FET überbrücken, was den Wirkungsgrad enorm verbessert. Für das zusammenschalten von Akkus könnte das eine passable Lösung sein. Mit freundlichem Gruß: Bernd wiebus alias dl1eic http://www.dl0dg.de Ich denke, der geht. http://ixdev.ixys.com/DataSheet/L337.pdf Gruß Geht das denn überhaupt? Ich finde in dem Datenblatt jetzt keine Angabe über die maximale EC Spannung, aber wenn ich mir den Aufbau eines IGBTs anschaue, dann bekommt die Emitter-Basisstrecke des Transistors die volle Spannung ab. Bei normalen Transistoren verkraftet die maximal 5-10V. Keine Ahnung wie das bei IGBTs ist, aber ich kann mir nicht vorstellen, dass das bei denen anderst ist. Hallo, NPT-IGBTs sollen das können. Wie ich das sehe, wird ja bei Vce<0 der Collector-Übergang in Sperrichtung gepolt,sodaß sich die Sperrschicht von der anderen Seite in die Driftregion ausdehnt. Scheint aber keine große Anwendung zu finden. http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGL60N100BNTD.pdf Im Datenblatt Fig.16 wird die VR angegeben, obwohl das Teil auch eine Diode besitzt?! Na ja im Prinzip scheint's zu gehen. Rolf Heindorf wrote: > Im Datenblatt Fig.16 wird die VR angegeben, obwohl das Teil auch eine > Diode besitzt?! Da sich Fig 13-17 auf die Diode beziehen, wird das der Sperrstrom der Dioden sein. Ja , klar hab's nur überflogen. Wenn ich Zeit habe, werde ich das Thema weiterverfolgen. MfG Hallo, finden tut man eine ganze Menge ohne Diode.Aber ich habe kein Datenblatt gefunden, wo die -Vce auch angegeben wird. http://www.srt.tu-darmstadt.de/fileadmin/general/publicat/huth93.pdf Auf Seite 4 ist ein entsprechendes Diagramm. Habe auch gelesen, daß an so einem Teil verstärkt gearbeitet wird. Wird wohl demnächst auch verfügbar sein. Antwort schreiben |
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