Hallö, ich hab hier zwei der HEXFETs die in der Mart-Sektion vor einer Weile verkauft wurden. Die machen immerhin 12 Ampere mit, aber meine Anwendung hat etwa 12 Ampere. Da würde ich sicherheitshalber lieber zwei parallel schalten. Geht das oder gibt das einen thermal runaway?
parallel schalten ist einerseits gut, anderseits hört man oft dass die dinger mit einer treiberstufe nicht ganz synchron sind, ich hab das noch nicht so gehabt, außerdem ist der im datenblatt angegebene strom immer mit vorsicht zu genießen, der effiziente wert ist oft anders.
Das geht wenn es sich um gleiche Mosfet handelt, also der gleichen Type, und wenn die im Schalterbetrieb laufen. Also es ist sicherzustellen das die wirklich voll durchschalten (mit 5V vom Mikrocontroller geht das in dan allermeisten Fällen nicht!). Wenn's an Grenzewete geht immer das Datenblatt befragen (SOAR-Bereich!). DIe Gates kann man auch zusammenschalten doch ist es da sich die Gatekapazität ja dann erhöht entweder einen kräftigen Treiber vorzusehen oder getrennt anzusteuern. Genaues hängt von Deinem jeweiligen Einsatzfall ab.
Also ich will eine Mikroskoplampe mit etwa 12 A max. schalten. Die Ansteuerspannung ist einfach die 12V Betriebsspannung die auch geschaltet werden soll. Die kommt einfach mit einem 100R Widerstand pro Fet aufs jeweilige Gate. Sonst gibt es keine weiteren Bauteile.
12 Ampere für eine Mikroskoplampe ? Irgendwas stimmt da nicht. Da kocht entweder deine Probe oder du wirst blind.
Bei 10 Prozent Wirkungsgrad kommen aus der Lampe 14 Watt. Dann kommt ein Filter der 40 nm Breite im roten Bereich aus dem Spektrum passieren lässt. Danach folgt ein dichromatischer Spiegel der nochmal 50 Prozent verschwendet, eine 5 linsige Optik, ein Farbstoff der angeregt wird und das Fluoreszenzlicht muss dann wieder durch die Optik, den Spiegel und einen Emissionsfilter. Und dann müssen für jedes Pixel der Kamera noch 1 Million Photonen pro Millisekunde übrig bleiben. Die Rechnung stimmt schon... Aber ich hätte da nich eine Frage. Aus einem Netzteil hab ich eine SBL1645 aber mit zwei Didoden in einem Gehäuse. Angeblich klann die 16A ab. Eine der beiden? Beide zusammen? Kann ich die parallelschalten? Die Vorwärtsspannung ist aufs mV gleich...
direkt parallel schalten ist nicht gut, mal ein erfahrungsbericht von mir: 2 IRF540 parallel, gleiche gatespannung, source und drain verbunden. gesamtstrom ~15 ampere gemessen, nichts böses bei gedacht, bis es irgendwann nicht mehr lief und begann, komisch zu riechen => ein fet war durch. mit einem anderen habe ich dann mal genauer gemessen und kam auf eine stromverteilung von ungefähr 3/12 ampere. mit je einem shunt in reihe zum fet (0,2 ohm, oder so) lief das ganze dann mit quasi 50/50
Hab es jetzt ohne Shunt aufgebaut, der wär ein Wärme- und Platzproblem. Mir reicht es schon wenn der eine 2 Ampere von 12 verbrutzelt. Warm werden sie jedenfalls nur gering unterschiedlich. Aber die Sache mit dem Shunt merk ich mir, danke
Direkt parallelschalten ist OK, wenn beides die gleichen Mosfets sind und (vor allem bei höheren Strömen) die Widerstände der Zuleitungen gleich sind. Ein Shunt in der Source Leitung ist normalerweise nicht notwendig. Wichtiger dagegen: Für jeden Mosfet einen eigenen Gate Widerstand, ansonsten kann es passieren, dass die Schaltung schwingt.
Blöde frage, wenn man für jeden mosfet einen eingenen Gate widerstand macht, und man die toleranzen anschaut, wäre doch zu erwarten, das die einzelnen Mosfets nicht exakt zum gleichen zeitpunkt durchschalten, was Probleme geben würde, wenn man z.b. ein PWM durch die parallenen Mosfets schalten würde, nicht?
Da Fet's in der Regel sehr große gm (Id/Vgs) haben und in der Fertigung nur in einem gewissen Toleranzbereich gearbeitet werden kann, ist es nur ratsam Fet im Schaltbetrieb parallel zu schalten. Hierbei bleibt aber immer noch (z.B. bei schaltnetzteilen wo das Gate mit einem PWM Signal angefahren wird)der Umschaltzeitpunkt zu betrachten. Beim Umschalten kann es durchaus vorkommen dass ein Transistor vor dem anderen zu leiten beginnt, und damit mehr Verlustleistung aufnehmen muss--> Termischer Tot! Wenns wie hier beschrieben nur um ein ausschalten geht sollte eine Parallelschaltung möglich sein. Shunt: Nun dann müssen da aber Transistoren mit sehr geringen Ron verwendet worden sein, sodass der Impedanzwert rein von den shunts bestimmt wurde?
Nein wiso ich blöd nachfragte, hab von meinem Ferngesteuerten Auto den Fahrtenregler verbraten, und ihn dann mal genauer angeschaut. Die schlatung war mir aber zu anstrengend um sie ganz aufzuzeichnen, aber er waren 12 Leistungs-Mosfets Parallel... Da ich davon ausgehen das der Motor des Autos per PWM angsteuert wird, wäre würde dies ja extrem kleine Toleranzen erforden... sehe ich was falsch? P.S. der vorgänge, von welchem ich das Auto gekauft hab, meinte er hätte mehr als 70A Strom beim anfahren gemessen...
Die Toleranzen sind nicht unbedingt wichtig: Ein Mosfet arbeitet als Konstantstromquelle sobald der Strom zu hoch wird. Somit schützt er sich quasi selbst. Allerdings nur für kurze Zeit, da die Temperatur dann sehr schnell ansteigt. Für kurze Zeit kann ein Mosfet problemlos mehr als den 10 fachen Nennstrom vertragen. Daher kann man Mosfets auch ohne viel Aufwand parallel schalten. Ein bischen Zusatzreserve schadet aber nie. Für 70A reichen eigentlich 2-3 Mosfets normalerweise locker aus (eventuell würde ein IRFP2907 alleine das schaffen). 12 Stück parallel halte ich für etwas übertrieben. Oder ist die Betriebsspannung so hoch ?
@Reto: Sicher das die 12 Mosfets parallel waren? Ich tipp eher auf eine H-Brücke, dann wärens nur noch je 3 Parallel. Oder es ist ein Synchronmotor, dann könnts auch ne Drehstrom-Brücke gewesen sein.
ich weis schon fet's parallel funktioniert auch mit PWM Siganl. Die Flanken müssen halt sehr steil sein. Wie oben schon erwähnt der FET erbraucht weder im ON noch im OFF zusatnd wirklich Leistung. Ist auch leicht erklärt: P=I²x Rfet Rfet on sind wenige milliohm oder darunter. Damit entsteht da auch bei hohen Stromen nicht wirklich eine erwärmung. Rfet off Isolierend: keine Leistung. Thermisch vorsichtig muss man bei PWM Signal damit nur im Übergangsbereich sein. Da geht der Fet von Isolierend in nahezu 0 Ohm über. Hier entsteht eine wesentliche Leistung Rfet sinkt, I steigt.... Ist die Flankensteilheit zu klein, oder die Frequenz zu hoch kommt e zu thermischen Problemen. Wenn man nun seine Schaltung in diesen Grenzbereich betreibt spielen dann auch Fertigungsunterschiede eine Rolle. Und ist erstmal ein Fet tot dann sterben auch alle anderen. In den Datenblättern ist sind deshalb auch immer sehr ausführlich diese Übergangsbereiche beschrieben. In der Praxis hat dies folgende Auswirkungen: Die Flankensteilheit an den FET's wird möglichst hoch gewählt (damit der Leistungsverlust an den FET's möglichst gering ist). Das bereitet aber bei der EMV Prüfung in der Regel Probleme.
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