Ausgleichn von Spannungsverlusten eines B2 Brückengleichrichters

Hallo Alex,

geht es um Signale? Dann ist Messgleichrichter das Suchwort, das geht in 
der Tat mit OP, aber man muss noch viel mehr wissen, wie 
Spannungsbereich, Frequenzbereich etc. um einen konkreten Vorschlag 
machen zu können.

Wenn der Gleichrichter für Energie eingesetzt werden soll, dann ist der 
Suchterm ideale Diode. Dort wird ein MOSFET als Schalter benutzt. Gibts 
auch integiert, z.B. 
http://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/4358fa.pdf

Die Schaltung verlagert die Verlustleistung in den Trafo: wegen des 
halbierten Stromflusswinkels verdoppeln sich die Wicklungsverluste.
Da die doppelte Windungszahl drauf muss, kann der Draht nur halb so lang 
sein - somit doppelter Widerstand.
M2 (Mittelpunkt Vollweg) lohnt sich nur bei kleinen Spannungen, wenn der 
Drop der zweiten Diode im B2 wehtut. Nicht umsonst hatte die 
Originalschaltung von Wolfgang Schubert vier FETs.

Korrektur: halb so lang sein --> halben Querschnitt haben

Alex.A schrieb:
> Wie gesagt ich bin da Laie und würde gerne wissen ob es da vor -
> Nachteile gibt oder ob man das Problem ganz anders löst.

Wie du siehst, besteht noch deutlich Informationsbedarf, um deine Frage 
zu beantworten.

Und nein, mit einem OP lässt sich ein B2 Brückengleichrichter nicht so 
ohne weiteres ersetzen. Die Ausgangsspannung eines OP bezieht sich auf 
eine gemeinsame Masse mit dem Eingang. Die hast du bei der Graetz-Brücke 
i.A. erstmal nicht, was sich natürlich aber hinkriegen lässt.

Was ist dein eigentliches Problem?

Das ist so schon möglich. Es gibt mehrere Varianten.

Für Signale:
http://www.ti.com/lit/ug/tidu030/tidu030.pdf

Das ist ohne Spannungsabfall. Das ist aber nur für Signale möglich, d.h. 
z.B. wenn du einen Spitzenwert messen willst. Das ist halt so gut, wie 
der verwendete OPV. Also sehr genau, wenn es sein muss auch im 
µV-Bereich.
Für Leistung ist das unsinnig.

Für Leistung:
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm74670-q1.pdf

Da baut man eine Volbrücke aus MOSFET auf. Die haben keine Vf wie 
Dioden, jedoch einen Innenwiderstand.
Das hat daher einen Spannungsabfall, der aber - je nach Auslegung - sehr 
gering gewählt werden kann. weil es extrem niederohmige FET gibt, gehen 
fallweise <10mV auch.