HighSide-Schalter & LowSide-Schalter

#4295180
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Daniel schrieb:
> Wie baue ich die Schaltung um, um auch Low-Side schalten zu können?

Gar nicht?

Warum sollte man auch lo-Side schalten wollen? Normalerweise will man 
entweder hi-Side oder low-Side schalten.

In den Fällen wo man beide Pole trennen will, macht man es fast immer 
aus Sicherheitsgründen (galvanische Trennung) und dann braucht man echte 
Kontakte, keine Halbleiter.

Falls deine Frage jetzt war, wie du anstatt des hi-Side Schalters 
einen lo-Side Schalter baust: lies den Artikel Treiber. Da sind 
beide Arten von Schaltern beschrieben.
Gast #4295206
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Axel S. schrieb:
> Daniel schrieb:
>> Wie baue ich die Schaltung um, um auch Low-Side schalten zu können?
>
> Gar nicht?
>
> Warum sollte man auch lo-Side schalten wollen? Normalerweise will man
> entweder hi-Side oder low-Side schalten.
>
> Falls deine Frage jetzt war, wie du anstatt des hi-Side Schalters
> einen lo-Side Schalter baust: lies den Artikel Treiber. Da sind
> beide Arten von Schaltern beschrieben.

Ja genau, letzteres habe ich gemeint, war schlecht formuliert. 
Dankeschön.
Der Plan ist 4 High-Side- und 4 Low-Side-Schalter zu verbauen, die die 
gleichen Bauelemente beinhalten um Kosten zu sparen.
Gast #4295441
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Daniel schrieb:
> Der Plan ist 4 High-Side- und 4 Low-Side-Schalter zu verbauen, die die
> gleichen Bauelemente beinhalten um Kosten zu sparen.

Das ist aber gerade das was nicht geht: für den low-Side-Schalter 
brauchst du keinen P-Kanal-FET, sondern einen N-Kanal-Typ. Wie Falk 
schon beschrieben hat, bloss hat er diese Selbstverständlichkeit nicht 
ausdrücklich erwähnt.

Auch wenn du einen zusätzlichen Treiber wie deinen Q2 verwenden willst, 
muss der "umgekehrt" sein.

Georg
Gast #4301382
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Daniel schrieb:
> da meine Signale
> aber kaum Strom haben

Du meinst dein Ansteuersignal (LS1) ist nicht belastbar und deswegen 
hast du eine Treiberstufe zwischengeschaltet?

Lass mal sehen: bei deinem Low-Side Schalter belastest du LS1 dauerhaft 
mit 550µA. Das Gate des FET wird beim Einschalten mit grade mal ~1mA 
aufgeladen. Viel gewonnen hast du durch den Einsatz des npn nicht 
gerade.

Da würde ich an deiner Stelle doch lieber den FET direkt an LS1 hängen 
und das Signal LS1 beim Umschalten halt doch mal ein paar µs lang mit 
1mA belasten.

Oh ich sehe gerade: der SI2302 will als UGS maximal +/-8V sehen: mit 
deiner Schaltung kann/wird das Gate durchschlagen.

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