Bipolartransistor - wird dieser immer beim Überspannung Kollektor-Emitter zerstört?

Ein großes IGBT-Modul wird sicherlich kuzzeitig einige Kilowatt 
vertragen während ein BC237 nur einige hundert Milliwatt abkann...

> Hi Leute, wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher
> Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es
                                          ^^^^^
> da Ausnahmen gibt.

Nein, es gibt sogar Gelegenheiten, wo man das ausdrücklich nutzt. Z.B. 
beim Jim-Williams-Pulsgenerator (LT AN47, Anhang D). Ist aber eher die 
Ausnahme als die Regel.

senke schrieb:
> Ein großes IGBT-Modul wird sicherlich kuzzeitig einige Kilowatt
> vertragen während ein BC237 nur einige hundert Milliwatt abkann...

Ja klar. Mir geht es auch nicht um die exakte Belastbarkeit dabei, 
sondern nur um einen Pi-mal-Daumen-Wert.
Im speziellen Fall wäre der Innenwiderstand der Quelle recht hoch, aber 
ein kleiner Kerko stützt die Spannung über CE. Kann der Durchbruch auch 
teilweise eine negative Kennlinie haben? Ggf. wäre das ja dann sehr 
unschön.
Oder ist das Verhalten ähnlich wie beim Mosfet, nur dass der 
Bipolartransistor dabei weniger verträgt?

Wüstenfuchs schrieb:
> zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es
> da Ausnahmen gibt

Kommt ganz auf die Leistung an. Mit einem reichlichen Vorwiderstand vom 
MOhm kann man manchen Transistor auch als Z-Diode mißbrauchen. Da aber 
P=U*I ist schmilzt Silizium wenn die Leistung ausreicht dafür. Den Rest 
kannst Du im Datenblatt finden oder selbst ausprobieren. Aber Vorsicht 
Transistordeckel können auch ins Auge fliegen!

Nein!
Es wird die Kollektor-Basis Sperrschicht zerstört.
In der Praxis ist es aber egal.
Put ist put.

Wüstenfuchs schrieb:
> Hi Leute, wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher
> Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es
> da Ausnahmen gibt. Was passiert beispielsweise, wenn der Transistor die
> Überspannung über einen Vorwiderstand bekommt? Welche Verlustleistung
> wird der Transistor dann in etwa zerstörungsfrei vertragen?

Nein, er wird nicht zerstört wenn die Leistung gering ist, z.B durch 
Vorwiderstand begrenzt oder aus einem Kondensator begrenzter Kapazität 
stammt.
Es gibt sogar Transistoren, die exrta für diese Betriebsart des 
sich-selbst-einschaltens gebaut sind, siehe Wikipedia 
Avalanche-Transistor.

Er schaltet rasend schnell.

Konventionelle Bipolartransistoren halten aber eventuell nach so einem 
Durchbruch ihre Daten (Verstärkung, Rauschpegel, Sperrspannung) nicht 
mehr ein.

Wüstenfuchs schrieb:
> wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher
> Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird,

Wie bereits geschrieben, hängt das von der Energie ab.
Es gibt sogar zerstörungsfreie Prüfschaltungen, die den Transistor bis 
an den Durchbruch testen und ihn, sobald der Durchruch auftritt, einfach 
kurzschliessen.
Und ja, beim Durchbruch kann eine fallende Kennlinie auftreten.

Wüstenfuchs schrieb:
> Welche Verlustleistung
> wird der Transistor dann in etwa zerstörungsfrei vertragen?

Das kann man so pauschal nicht sagen, deshalb testet man es ja.
Auch sind Bipolartransistoren schon seit Jahrzenten wesentlich komplexer 
aufgebaut, als es in vielen Lehrbüchern dargestellt wird.