Hi Leute, wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es da Ausnahmen gibt. Was passiert beispielsweise, wenn der Transistor die Überspannung über einen Vorwiderstand bekommt? Welche Verlustleistung wird der Transistor dann in etwa zerstörungsfrei vertragen?
Ein großes IGBT-Modul wird sicherlich kuzzeitig einige Kilowatt vertragen während ein BC237 nur einige hundert Milliwatt abkann...
> Hi Leute, wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher > Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es ^^^^^ > da Ausnahmen gibt. Nein, es gibt sogar Gelegenheiten, wo man das ausdrücklich nutzt. Z.B. beim Jim-Williams-Pulsgenerator (LT AN47, Anhang D). Ist aber eher die Ausnahme als die Regel.
senke schrieb: > Ein großes IGBT-Modul wird sicherlich kuzzeitig einige Kilowatt > vertragen während ein BC237 nur einige hundert Milliwatt abkann... Ja klar. Mir geht es auch nicht um die exakte Belastbarkeit dabei, sondern nur um einen Pi-mal-Daumen-Wert. Im speziellen Fall wäre der Innenwiderstand der Quelle recht hoch, aber ein kleiner Kerko stützt die Spannung über CE. Kann der Durchbruch auch teilweise eine negative Kennlinie haben? Ggf. wäre das ja dann sehr unschön. Oder ist das Verhalten ähnlich wie beim Mosfet, nur dass der Bipolartransistor dabei weniger verträgt?
Wüstenfuchs schrieb: > zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es > da Ausnahmen gibt Kommt ganz auf die Leistung an. Mit einem reichlichen Vorwiderstand vom MOhm kann man manchen Transistor auch als Z-Diode mißbrauchen. Da aber P=U*I ist schmilzt Silizium wenn die Leistung ausreicht dafür. Den Rest kannst Du im Datenblatt finden oder selbst ausprobieren. Aber Vorsicht Transistordeckel können auch ins Auge fliegen!
Wüstenfuchs schrieb: > Hi Leute, wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher > Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es > da Ausnahmen gibt. Was passiert beispielsweise, wenn der Transistor die > Überspannung über einen Vorwiderstand bekommt? Welche Verlustleistung > wird der Transistor dann in etwa zerstörungsfrei vertragen? Diese Fragen ergeben keinen Sinn. Der Hersteller gibt die maximalen Grenzwerte an, bis zu denen der Transistor nicht zerstört wird. Höhere Werte kann ein einzelnes Exemplar aushalten (und i.d.R. wird es das auch, weil der Hersteller eine Sicherheitsreserve vorsieht) aber es gibt dafür eben keinerlei Garantie. Jeder auch nur halbwegs seriöse Entwickler wird den Betrieb jenseits der maximum allowed ratings tunlichst vermeiden. Ein eventueller Vorwiderstand limitiert natürlich die gleichzeitig vorliegenden Ströme und Spannungen, kann also den Unterschied zwischen "noch im SOA" oder "außerhalb der SOA" ausmachen. Details siehe https://en.wikipedia.org/wiki/Safe_operating_area
Nein! Es wird die Kollektor-Basis Sperrschicht zerstört. In der Praxis ist es aber egal. Put ist put.
Wüstenfuchs schrieb: > Hi Leute, wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher > Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, oder ob es > da Ausnahmen gibt. Was passiert beispielsweise, wenn der Transistor die > Überspannung über einen Vorwiderstand bekommt? Welche Verlustleistung > wird der Transistor dann in etwa zerstörungsfrei vertragen? Nein, er wird nicht zerstört wenn die Leistung gering ist, z.B durch Vorwiderstand begrenzt oder aus einem Kondensator begrenzter Kapazität stammt. Es gibt sogar Transistoren, die exrta für diese Betriebsart des sich-selbst-einschaltens gebaut sind, siehe Wikipedia Avalanche-Transistor. Er schaltet rasend schnell. Konventionelle Bipolartransistoren halten aber eventuell nach so einem Durchbruch ihre Daten (Verstärkung, Rauschpegel, Sperrspannung) nicht mehr ein.
Wüstenfuchs schrieb: > wollte mal fragen, ob ein Bipolartransistor bei zu hoher > Spannung zwischen Emitter und Kollektor immer zerstört wird, Wie bereits geschrieben, hängt das von der Energie ab. Es gibt sogar zerstörungsfreie Prüfschaltungen, die den Transistor bis an den Durchbruch testen und ihn, sobald der Durchruch auftritt, einfach kurzschliessen. Und ja, beim Durchbruch kann eine fallende Kennlinie auftreten. Wüstenfuchs schrieb: > Welche Verlustleistung > wird der Transistor dann in etwa zerstörungsfrei vertragen? Das kann man so pauschal nicht sagen, deshalb testet man es ja. Auch sind Bipolartransistoren schon seit Jahrzenten wesentlich komplexer aufgebaut, als es in vielen Lehrbüchern dargestellt wird.
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