Integrator Front-End -> j-fet mit Gate-Strom?

Hallo zusammen,

ich habe aktuell ein Problem mit der Simulation einer Schaltung die ich 
in der Praxis erfolgreich verwende. Ich möchte ein paar Aspekte in der 
Simulation genauer untersuchen, bekomme aber widersprüchliche 
Ergebnisse.

Bei der Schaltung handelt es sich um die Auslesung von 
Strahlungssensoren auf Halbleiterbasis, das Signal wird als Ladung auf 
der Sperrschicht gespeichert. Ich habe das mit einer Spannungsquelle und 
dem Kondensator sowie 2 Schaltern realisiert.

Die Schaltung ist im wesentlichen ein Integrator mit Reset. Soweit 
funktioniert alles.Komischerweise habe ich mit dem Modell vom BF862 
einen Gate-Strom von etwa 1.6nA was bei den 22pF über ca. 5ms dann die 
400mV Drift erklärt. Kann mir jemand weiterhelfen?

Grüße und Danke