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Fragen zum IRF640
Gast
#3853956
Hallo, ich habe 2 Fragen zum IRF640, speziell zu 2 Angaben von dem Transistor im Datenblatt. Hier erstmal das Datenblatt: http://www.vishay.com/docs/91036/91036.pdf 1. Wert: Linear Derating Factor auf Seite 1 2. Wert: VDS Temperature Coefficient auf Seite 2. Kann mir diese Werte jemand erklären, bzw. was Sie aussagen ? Ich danke euch, mfg zu 1: Du hast eine Kurve für die Verlustleistung. Diese ist bei einer entsprechenden (Umgebungs-) Temperatur angegeben. Hast du eine andere Temperatur verschiebt sich die Kurve für die Verlustleistung entsprechend. Beispiel: Kurve bei 25°C angeben, du hast aber 30 °C dann musst du die Kurve um 5 W verringern (derating ;)). zu 2: Ist was Ähnliches wie bei 1. nur dass hier nun die Spannung Drain-Source (und nicht die Verlustleistung) im durchgeschalteten Zustand u.a. von der Temperatur abhängt und die Kurve dazu entsprechend verschoben werden muss bei anderen Temperaturen als der Angegebenen (hier 25°C)
Gast
#3854709
Hallo Michael, zunächst danke für deine Antwort. Nochmal zur 2.Frage: der Temperature Coefficient = dUds / Tj; ist (delta)Uds = Uds(neu temp) - Uds(25°C) ? Somit wäre Uds(x temp) = 0,29 * Tj + Uds(25°C) ist das richtig???? mfg Sieht richtig aus, würde ich auch so einsetzen. Wobei das ganze eh nur ein "Schätzwert" ist. Wer lässt schon "nur" 1 mA durch den FET fließen? @ Michael Köhler (sylaina) >Sieht richtig aus, würde ich auch so einsetzen. Wobei das ganze eh nur >ein "Schätzwert" ist. Wer lässt schon "nur" 1 mA durch den FET fließen? Derjenige, der die Durchbruchsspannung messen will.
Gast
#3854819
ich danke vielmals Falk Brunner schrieb: > Derjenige, der die Durchbruchsspannung messen will. Da wären aber 1 mA recht viel, sind doch 0.25 mA viel üblicher dafür ;) Antwort schreiben |
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