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Matching Transistoren
Gast
#4831212
Hallo, wer weis Bescheit, ich benötige für eine Schaltung auf IC BasS 10 möglist gleiche Transistoren. Ich müste wissen wie hoch ist das Matching bei Bipolar Tr. von Udiffusion und bei Fet von UT0 in mV oder % schön währe sowas wie 5mv. Und evtl. S und B Matching ist interessant auf den gleichen Chip. Wer will Antworten Danke Guidokuels schrieb: > Wer will Antworten Ich halte mich raus
Gast
#4831232
Steht üblicherweise in der Prozessspezifikation. Welche Technologie ist es denn?
Gast
#4831273
Hallo, wir habe vor Jahren den Kennlinienschreiber 2.0 von Andreas, DLJAL aufgebaut. # http://dl4jal.eu/kls/kls.html Da auch die Eagle Dateien, usw. Online sind, kann man sie einfach fertigen lassen. Einige Spezialbauteile müsse ich noch da haben: # SMD 0805 20k 1% # den PIC18F4520 kann auch auch Programmieren # weiter müsste ich nachsehen. und es gibt Vorschläge zur Modifikationen, u.a. zur Stromversorgung. # http://dl4jal.eu/kls/kls_mit_L165_Nachbildung_Bauteileliste.pdf
Angehängte Dateien:
Gast
#4834594
Die Sache ist die, ich brauche keine diskreten Bauteile. Ich möchte meine Idee irgendwann in einem Chip implementieren. Die Technologie ist Bipolar oder Mosfets je nach dem welches Matching geringer ausfällt. Angaben zu beiden sind hilfreich. Vieleicht Antwortet noch jemand Danke
Gast
#4834678
Vielleicht ein Transistor Array? Keine Ahnung wie gut die gematcht sind, aber isn IC und daher besser als einzelne Transen.
Gast
#4835830
Guido:kuels@gmx.de schrieb: > > Vieleicht Antwortet noch jemand Problem ist halt, dass man Prozessdaten nicht ohne NDA, etc. weitergeben darf. Ich habe einmal Matchingdaten aus verschiedenen Prozessen (0.18µm bis 0.6µm) angeschaut und nenne unten stehende Werte ohne Bezug zu Prozessen und Foundries. Bei den Bipolar-Transistoren gibt es nicht allzu viele Unterschiede: Bipolar, VBE: 0.3-0.5mVµm * NMOS, VTH: 4-20mVµm * PMOS, VTH: 5-30mVµm * *) Heißt: Die Spannungen werden als normalverteilt angenommen. Die Standardabweichung (Sigma) ist gleich den obigen Werten mal der Wurzel der Transistorfläche (Emitter- bzw. Gatefläche). Sie gelten üblicherweise für gut designte Layouts mit Dummy-Strukturen. In deiner Schaltung musst du meist auch Drainstrom-, Kollektorstrom- und Widerstands-Matching berücksichtigen. Aber danach hast du zum Glück nicht gefragt. "Gutes Layout" kann man in einfachen Postings nicht vermitteln. Aber mit "matching layout common centroid" lassen sich schon einige Webseiten zum Einstieg und natürlich auch passende Bücher finden. Sinnvolle Tipps kommen natürlich dann auch von erfahrenen Kollegen - üblicherweise nach dem ersten Tape-Out.
Gast
#4838573
durch die Wurzel der Transistorfläche, natürlich. Sorry.
Gast
#4838723
Danke erstmal für die Info. Aber bei der Transitorfläche hab ich dann nochmal ne Frage, heist das jetzt ich muss die Transistorflächen noch mit den Spannungen multiplizieren oder dann doch diffidieren da die Maßeinheit ja mV * µm ist. Danke nochmal
Gast
#4838834
Hallo TO, ich habe mir mal deine Schaltung angesehen. Bei ic 13 würde die Beschaltung mit R90 und C40 und C41 doch schwingen. Warum verwendest du als DA diskret aufgebaute R2R Netzwerke? Was soll das werden?
Gast
#4838969
Guido:kuels@gmx.de schrieb: > Danke erstmal für die Info. > Aber bei der Transitorfläche hab ich dann nochmal ne Frage, > heist das jetzt ich muss die Transistorflächen noch mit den Spannungen > multiplizieren oder dann doch diffidieren da die Maßeinheit ja mV * µm > ist. Ich hatte mich geirrt. Siehe mein Posting von heute, 07:31. Alter Lateiner schrieb: > Hallo TO, ich habe mir mal deine Schaltung angesehen. Das gehört vermutlich nicht zusammen, sind zwei unterschiedliche Gäste und der TO ist reichlich nebulös geblieben, was die genaue Schaltung anbelangt. Ich warte noch ein Weilchen, bis irgendetwas mit Temperaturbereich, Spannung und Strom vorbeiscrollt. Vielleicht ist es ja auch etwas Digitales und es geht um Kapazitäten und Schaltzeiten. Antwort schreiben |
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