Matching Transistoren

Steht üblicherweise in der Prozessspezifikation. Welche Technologie ist 
es denn?

Hallo,

wir habe vor Jahren den Kennlinienschreiber 2.0 von Andreas, DLJAL 
aufgebaut.

# http://dl4jal.eu/kls/kls.html

Da auch die Eagle Dateien, usw. Online sind, kann man sie einfach 
fertigen lassen.

Einige Spezialbauteile müsse ich noch da haben:
# SMD 0805 20k 1%
# den PIC18F4520 kann auch auch Programmieren
# weiter müsste ich nachsehen.

und es gibt Vorschläge zur Modifikationen, u.a. zur Stromversorgung.

# http://dl4jal.eu/kls/kls_mit_L165_Nachbildung_Bauteileliste.pdf

Die Sache ist die, ich brauche keine diskreten Bauteile.
Ich möchte meine Idee irgendwann in einem Chip implementieren.
Die Technologie ist Bipolar oder Mosfets je nach dem welches Matching 
geringer ausfällt. Angaben zu beiden sind hilfreich.

Vieleicht Antwortet noch jemand
Danke

Vielleicht ein Transistor Array? Keine Ahnung wie gut die gematcht sind, 
aber isn IC und daher besser als einzelne Transen.

Guido:kuels@gmx.de schrieb:
>
> Vieleicht Antwortet noch jemand

Problem ist halt, dass man Prozessdaten nicht ohne NDA, etc. weitergeben 
darf. Ich habe einmal Matchingdaten aus verschiedenen Prozessen (0.18µm 
bis 0.6µm) angeschaut und nenne unten stehende Werte ohne Bezug zu 
Prozessen und Foundries. Bei den Bipolar-Transistoren gibt es nicht 
allzu viele Unterschiede:

Bipolar, VBE: 0.3-0.5mVµm *
NMOS, VTH: 4-20mVµm *
PMOS, VTH: 5-30mVµm *

*) Heißt: Die Spannungen werden als normalverteilt angenommen. Die 
Standardabweichung (Sigma) ist gleich den obigen Werten mal der Wurzel 
der Transistorfläche (Emitter- bzw. Gatefläche). Sie gelten 
üblicherweise für gut designte Layouts mit Dummy-Strukturen.

In deiner Schaltung musst du meist auch Drainstrom-, Kollektorstrom- und 
Widerstands-Matching berücksichtigen. Aber danach hast du zum Glück 
nicht gefragt. "Gutes Layout" kann man in einfachen Postings nicht 
vermitteln. Aber mit "matching layout common centroid" lassen sich schon 
einige Webseiten zum Einstieg und natürlich auch passende Bücher finden.

Sinnvolle Tipps kommen natürlich dann auch von erfahrenen Kollegen - 
üblicherweise nach dem ersten Tape-Out.

durch die Wurzel der Transistorfläche, natürlich. Sorry.

Danke erstmal für die Info.
Aber bei der Transitorfläche hab ich dann nochmal ne Frage,
heist das jetzt ich muss die Transistorflächen noch mit den Spannungen 
multiplizieren oder dann doch diffidieren da die Maßeinheit ja mV * µm 
ist.

Danke nochmal

Hallo TO, ich habe mir mal deine Schaltung angesehen. Bei ic 13 würde 
die Beschaltung mit R90 und C40 und C41 doch schwingen. Warum verwendest 
du als DA diskret aufgebaute R2R Netzwerke? Was soll das werden?

Guido:kuels@gmx.de schrieb:
> Danke erstmal für die Info.
> Aber bei der Transitorfläche hab ich dann nochmal ne Frage,
> heist das jetzt ich muss die Transistorflächen noch mit den Spannungen
> multiplizieren oder dann doch diffidieren da die Maßeinheit ja mV * µm
> ist.

Ich hatte mich geirrt. Siehe mein Posting von heute, 07:31.