Hallöle,
kennt jemand einen MOSFET-Treiber (Steuerspannung Treiber-in 3,3V;
Versorgungsspannung 12V), welcher keine ultraschnellen Schaltvorgänge
erzeugt? Ideal mehrere Treiber in einem IC.
Mein Problem sind momentan die hohen Spannungsspitzen beim An- und
Abschalten der Leistungsmosfets, welche derzeit mit den Treibern
"MC34152" angesteuert werden. Diese schalten im Nanosekundenbereich.
Mit einem Tiefpass vor dem Gate, der die Zeit auf ca. 1µs verlängert,
wäre alles wunderbar. Die Verlustleistung im Mosfet ist sekundär!
Es ist nun die Frage, ob ich jedem Gate so einen Tiefpaß spendiere (es
sind etliche Mosfets auf einer Baugruppe) oder ob es einen langsameren
Treiber gibt mit Schaltzeiten im unteren µs-Bereich?
Hat da jemand einen Tip?
jo, einfach widerstand davor und der bildet mit der gate-kapzität deinen
tiefpass.
die größe für deine gewünschten zeiten wird also über den oben genannten
werten liegen.
Danke, so werde ich es wohl machen, nachdem die Schaltzeit mächtig
toleranzbehaftet sein kann (0,5µs..3µs), so dass Toleranzen der
Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören.
Rübezahl schrieb:> so dass Toleranzen der> Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören.
Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate,
dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator
entscheidend.
Gregor B. schrieb:> Rübezahl schrieb:>> so dass Toleranzen der>> Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören.>> Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate,> dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator> entscheidend.
Ja, so habe ich es ja zuerst gemacht (Tiefpass, siehe erster Beitrag).
Aber die Toleranz ist hier akzeptabel.
Es war vor allem die Frage, ob es einen Treiber gibt, der bereits
slewrate-begrenzt ist, damit ich mir zusätzliche Bauteile spare.
Gregor B. schrieb:> Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate,> dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator> entscheidend.
Gelegentlich macht man zur Flankenabschwächung sogar ganz bewußt ein
RC-Glied als Tiefpaß vor den Transistor. Hochspannungserzeugung an einer
Zündspule beispielsweise, wenn man keinen Transistor mit 1,7kV hat,
sondern nur einen mit 300V. Unter Umständen wird damit sogar die
Freilaufdiode an einem geschalteten Relais gespart, aber das ist nur
theoretisch, weil die Diode robuster und billiger ist als ein RC-Glied,
und die Abfallverzögerung keine Rolle spielt, wenn man heute ein Relais
verwendet.
Siebzehn oder Fuenfzehn schrieb:> Allenfalls kann man noch eine kuenstliche Miller Kapazitaet einfuegen,> die wirkt auch daempfend.
Ich schalte Gleichspannungen >200V, da wären solche C's unnötig groß.
Dann schon einfacher nur mit R und Gate-C oder eben RC.
Wilhelm Ferkes schrieb:> Gelegentlich macht man zur Flankenabschwächung sogar ganz bewußt ein> RC-Glied als Tiefpaß vor den Transistor.
Ja, wie ich in meinem ersten Beitrag schon geschrieben habe, habe ich
einen Tiefpaß benützt. Der ist im einfachsten Fall ein RC-Glied...
Ich bleibe also bei meiner bsiherigen Lösung mit zusätzlicher
Verzögerung das Gatesignals, da offenbar niemand eine integrierte
Treiberlösung mit langsamer SlewRate kennt (zu langsam darf sie ja auch
nicht sein, also Optokoppler geht auch nicht und würde wegen der
LED-Widerstände auch keinen Platzgewinn bringen).
In manchen Freescale-treiber kann man sogar die Slew Rate softwaremässig
einstellen.(slowest.....fastest)
Man würde in diesem Fall Den Tiefpass sparen.
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