Mosfet-Treiber ohne highspeed slewrate

Gast #3201149
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Hallöle,

kennt jemand einen MOSFET-Treiber (Steuerspannung Treiber-in 3,3V; 
Versorgungsspannung 12V), welcher keine ultraschnellen Schaltvorgänge 
erzeugt? Ideal mehrere Treiber in einem IC.

Mein Problem sind momentan die hohen Spannungsspitzen beim An- und 
Abschalten der Leistungsmosfets, welche derzeit mit den Treibern 
"MC34152" angesteuert werden. Diese schalten im Nanosekundenbereich.
Mit einem Tiefpass vor dem Gate, der die Zeit auf ca. 1µs verlängert, 
wäre alles wunderbar. Die Verlustleistung im Mosfet ist sekundär!

Es ist nun die Frage, ob ich jedem Gate so einen Tiefpaß spendiere (es 
sind etliche Mosfets auf einer Baugruppe) oder ob es einen langsameren 
Treiber gibt mit Schaltzeiten im unteren µs-Bereich?

Hat da jemand einen Tip?
Gast #3201651
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Danke, so werde ich es wohl machen, nachdem die Schaltzeit mächtig 
toleranzbehaftet sein kann (0,5µs..3µs), so dass Toleranzen der 
Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören.
Gast #3201996
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Gregor B. schrieb:
> Rübezahl schrieb:
>> so dass Toleranzen der
>> Gatekapazität und die Temperaturabhängigkeit nicht stören.
>
> Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate,
> dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator
> entscheidend.

Ja, so habe ich es ja zuerst gemacht (Tiefpass, siehe erster Beitrag).
Aber die Toleranz ist hier akzeptabel.
Es war vor allem die Frage, ob es einen Treiber gibt, der bereits 
slewrate-begrenzt ist, damit ich mir zusätzliche Bauteile spare.
Gast #3202343
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Gregor B. schrieb:

> Einfacher Trick: zusätzliche Kapazität >> Gatekapazität vor das Gate,
> dann ist eher nur noch die Toleranz vom externen Kondensator
> entscheidend.

Gelegentlich macht man zur Flankenabschwächung sogar ganz bewußt ein 
RC-Glied als Tiefpaß vor den Transistor. Hochspannungserzeugung an einer 
Zündspule beispielsweise, wenn man keinen Transistor mit 1,7kV hat, 
sondern nur einen mit 300V. Unter Umständen wird damit sogar die 
Freilaufdiode an einem geschalteten Relais gespart, aber das ist nur 
theoretisch, weil die Diode robuster und billiger ist als ein RC-Glied, 
und die Abfallverzögerung keine Rolle spielt, wenn man heute ein Relais 
verwendet.
Gast #3202502
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Siebzehn oder Fuenfzehn schrieb:
> Allenfalls kann man noch eine kuenstliche Miller Kapazitaet einfuegen,
> die wirkt auch daempfend.

Ich schalte Gleichspannungen >200V, da wären solche C's unnötig groß.
Dann schon einfacher nur mit R und Gate-C oder eben RC.

Wilhelm Ferkes schrieb:
> Gelegentlich macht man zur Flankenabschwächung sogar ganz bewußt ein
> RC-Glied als Tiefpaß vor den Transistor.

Ja, wie ich in meinem ersten Beitrag schon geschrieben habe, habe ich 
einen Tiefpaß benützt. Der ist im einfachsten Fall ein RC-Glied...


Ich bleibe also bei meiner bsiherigen Lösung mit zusätzlicher 
Verzögerung das Gatesignals, da offenbar niemand eine integrierte 
Treiberlösung mit langsamer SlewRate kennt (zu langsam darf sie ja auch 
nicht sein, also Optokoppler geht auch nicht und würde wegen der 
LED-Widerstände auch keinen Platzgewinn bringen).

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