Android Circuit Safari Simulation

OP #7882174
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Hallo zusammen

Ich habe ein Problem mit der CircuitSafari Simulationsproblem: MOSFET schaltet nicht vollständig durch.

ich habe ein kritisches Problem mit der CircuitSafari-App, bei dem ein MOSFET in meinen Simulationen konsequent nicht vollständig durchschaltet. Trotz einer Gate-Ansteuerung von vollen 12V verbleibt die Source-Spannung bei etwa 8.8V. Dieses Problem tritt auch in vereinfachten Testschaltungen und mit verschiedenen MOSFET-Modellen (einschließlich externer, herstellerdefinierter Modelle) sowie sogar bei NPN Transistoren auf. Ich habe umfassende Schritte zur Fehlerbehebung unternommen und gängige Ursachen ausgeschlossen:

  • NaN-Werte behoben: Manuelle Korrektur von "NaN"-Werten für MOSFET-Parameter (W, L, AD, AS) in der GUI; diese Korrekturen blieben nach dem Speichern/Laden erhalten.
  • Explizite .model-Direktive: Eine .model-Direktive wurde dem SPICE-Code hinzugefügt, um alle MOSFET-Parameter (LEVEL, VTO, KP, W, L, AD, AS, RS, RD, IS, etc.) explizit zu definieren und den KP-Wert zu korrigieren.
  • Gate-Treiber & PWM überprüft: Der Gate-Treiber (MCP1407, nicht-invertierend) und die 12V PWM-Signalamplitude wurden als korrekt bestätigt.
  • Komplette Neuinstallation: Eine vollständige Deinstallation und Neuinstallation der App (inklusive Projektsicherung und Systemneustart) wurde durchgeführt.
  • Simulator-Implementierungen getestet: Alle vier verfügbaren Simulator-Implementierungen (.options implementation=ngspice, spice3f5, logipipe, xspice) wurden systematisch getestet. Das Problem besteht bei allen weiterhin.
  • Externes Modell getestet: Ein externes, herstellerdefiniertes SPICE-MOSFET-Modell wurde importiert und verwendet; das identische Problem trat dabei auf.

Was macht ich falsch ?? Mfg

Angehängte Dateien:
Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #7882202
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Jakob schrieb:

bei dem ein MOSFET in meinen Simulationen konsequent nicht vollständig durchschaltet.

Das ist kein Simulationsproblem, der Mosfet wird auch in der Realität die 65V nicht auf die Source "durchschalten".

Jakob schrieb:

Was macht ich falsch ??

Du hast durch die Verwendung des N-Kanal-Fets einen "Sourcefolger" gebaut, der seine Sourcespannung so einstellt, dass sie etwas mehr als Ugs(th) niedriger ist als die Gatespannung. Wenn die Gatespannung also 12V ist und die Ugs(th) etwa 3V, dann kommen 9V an der Source heraus. Für diese Schaltung passt das.

Denn mal angenommen, der Mosfet würde wider besseres Wissen "voll loslegen" und so gut leiten, dass an der Source 10V wären, dann wäre die Ugs nur noch 12V-10V = 2V und das reicht dem Mosfet nicht mehr zum Leiten --> er würde es sich nochmal überlegen und sperren.

Das ist übrigens ein sehr beliebter Anfängerfehler... ;-)

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