+20V 5A mit Highside Mosfet schalten

Ups, ja sollte ein P-Mos sein.. habe IRF530N

Beitrag "Re: +20V 5A mit Highside Mosfet schalten"
wieso
>Dein Schaltplan sieht aber eher nach N-FET aus und der geht nicht.

Es wurde doch ein P-Mos gezeichnet.

Gerhard

kurze Frage, welcher P-Mos der bei Reichelt oder Conrad zu bekommen ist 
wäre den geeignet?

Ich würde den 10k Kollektorwiderstand weg lassen und dafür den 1k 
Vorwiderstand auf 10k erhöhen.

Die Gate/Source Spannung beträgt an 10V (halbe Versorgungsspannung )

Noch ein Tipp,  ich würde auch den NPN Transistor durch einen NMOS FET 
ersetzen.
Die größte Verlustleistung entsteht beim Schaltvorgang.  Je schneller 
dieser ist, um so geringer die Verluste. FETs schalten schneller als 
Transistoren .

Matthias S. schrieb:
> Und warum sollte ein Fet schneller sein als der NPN?

Wie der NPN angesteuert wird sieht man in der Schaltung nicht. Aber er 
könnte in die Sättigung getrieben worden sein.

GEKU schrieb:
> Aber er könnte in die Sättigung getrieben worden sein.

Selbst wenn, das wirkt sich doch nur auf ein zusätzliches Delay beim 
Ausschalten aus. Und dem begegnet man, wenn notwenig, mit einem 
kleineren Basisvorwiderstand, eine C parallel dazu und ev. einer 
Schottkydiode von B nach C. Die Flankensteilheit ist davon kaum 
betroffen.

Ich würde die 10k als erstes deutlich kleiner wählen, um die Steilheit 
zu verbessern, bei 5A Laststrom fällt da der Teilerstrom nicht mehr ins 
Gewicht.

Hallo,

Ok den Tipp werde ich Umsetzen, ja die Geschwindigkeit ist kein Problem, 
kein PWM. Nur Ein und Aus ca. 1 bis 2 mal am Tag an und nach ca. 2 Min 
bis 3 Stunden aus. Ich habe eine Darlington Schalung für den NPN.‎

Gruß

Paul