+20V 5A mit Highside Mosfet schalten

[Paul (Gast)]

Hallo Gemeinde,

ich würde gerne +20V über einen FET schalten, ohne Relais, habe mal eine 
Schaltung entworfen, ist die so Okay. Für bessere Vorschläge dankbar, 
wenn möglich mit Standard Bauteilen.

Gruß

Paul

[Harald W. (wilhelms)]

Paul schrieb:

> ich würde gerne +20V über einen FET schalten, habe mal eine
> Schaltung entworfen, ist die so Okay.

Wenn Du einen P-Kanal-FET nimmst, sollte das gehen. Dein
Schaltplan sieht aber eher nach N-FET aus und der geht nicht.

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

* Den zweiten 10k Widerstand direkt am Gate kannst du einsparen.

* Ugs Max. im Datenblatt beachten. Ugs liegt in deiner Schaltung nahe 
20V und kann am Limit sein. Im Zweifelsfall kannst du den 10k Widerstand 
in einen Spannungsteiler verwandeln und das Gate am Mittelpunkt 
abgreifen.

[Paul (Gast)]

Ups, ja sollte ein P-Mos sein.. habe IRF530N

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

Paul schrieb:
> habe IRF530N

Der ist aber ein N-Kanal. Damit klappt die Schaltung nicht.

[Harry L. (mysth)]

Ich würde einen ProFET nehmen.
https://www.infineon.com/cms/en/product/power/smart-low-side-high-side-switches/automotive-smart-high-side-switch-profet

[Gerhard (Gast)]

Beitrag "Re: +20V 5A mit Highside Mosfet schalten"
wieso
>Dein Schaltplan sieht aber eher nach N-FET aus und der geht nicht.

Es wurde doch ein P-Mos gezeichnet.

Gerhard

[Paul (Gast)]

kurze Frage, welcher P-Mos der bei Reichelt oder Conrad zu bekommen ist 
wäre den geeignet?

[GEKU (Gast)]

Ich würde den 10k Kollektorwiderstand weg lassen und dafür den 1k 
Vorwiderstand auf 10k erhöhen.

Die Gate/Source Spannung beträgt an 10V (halbe Versorgungsspannung )

[Jens G. (jensig)]

>kurze Frage, welcher P-Mos der bei Reichelt oder Conrad zu bekommen ist
>wäre den geeignet?

IRF4905
Der ist niederohmig genug, um die 5A auch ohne Kühlkörper stemmen zu 
können.

Und setze den Tip von GEKU um, sonst ist Dein Mosfet gleich beim ersten 
Einschalten im Eimer ...

[GEKU (Gast)]

Noch ein Tipp,  ich würde auch den NPN Transistor durch einen NMOS FET 
ersetzen.
Die größte Verlustleistung entsteht beim Schaltvorgang.  Je schneller 
dieser ist, um so geringer die Verluste. FETs schalten schneller als 
Transistoren .

[Jens G. (jensig)]

Tja - ob der TO wirklich so schnell schalten will, daß das relevant 
wird?

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

Solange der TE einen 1k Widerstand direkt vorm Gate hat, scheint 
Geschwindigkeit keine Rolle zu spielen. Der NPN ist also gar kein 
Problem.

[Matthias S. (Firma: matzetronics) (mschoeldgen)]

Solange der TE einen 1k Widerstand direkt vorm Gate hat, scheint 
Geschwindigkeit keine Rolle zu spielen. Der NPN ist also gar kein 
Problem. Und warum sollte ein Fet schneller sein als der NPN?

[GEKU (Gast)]

Matthias S. schrieb:
> Und warum sollte ein Fet schneller sein als der NPN?

Wie der NPN angesteuert wird sieht man in der Schaltung nicht. Aber er 
könnte in die Sättigung getrieben worden sein.

[HildeK (Gast)]

GEKU schrieb:
> Aber er könnte in die Sättigung getrieben worden sein.

Selbst wenn, das wirkt sich doch nur auf ein zusätzliches Delay beim 
Ausschalten aus. Und dem begegnet man, wenn notwenig, mit einem 
kleineren Basisvorwiderstand, eine C parallel dazu und ev. einer 
Schottkydiode von B nach C. Die Flankensteilheit ist davon kaum 
betroffen.

Ich würde die 10k als erstes deutlich kleiner wählen, um die Steilheit 
zu verbessern, bei 5A Laststrom fällt da der Teilerstrom nicht mehr ins 
Gewicht.

[Paul (Gast)]

Hallo,

Ok den Tipp werde ich Umsetzen, ja die Geschwindigkeit ist kein Problem, 
kein PWM. Nur Ein und Aus ca. 1 bis 2 mal am Tag an und nach ca. 2 Min 
bis 3 Stunden aus. Ich habe eine Darlington Schalung für den NPN.‎

Gruß

Paul