FET als Schalter

sollte so funktionieren, aber bedenke, dass der NMOS evtl einschalten 
konnte, wenn der uC Pin hochohmig ist (zb bevor uC programmiert und io 
initialisiert ist) ein pull down ans gate um auf Nummer sicher zu gehen 
wäre gut.
Ich denke einige Teile um den PMOS sind unnötig: R1 von 24V zu gate und 
ein zweiter 50-100k vom PMOS gate zum NMOS sollten genügen. wofür C5 und 
C6 gut sein sollen bleibt mir ein Rätsel.

Genau hatte noch ganz vergessen den NMOS mit einem Pulldown zu versehen.
Reichen hier 100k oder besser 22k nehmen?
Mit R1 und C5 erreiche ich, dass der FET sanfter einschaltet. Zumindest 
laut Simulation bricht dann die Eingangsspannung nicht so stark ein, 
durch den C4 Einschaltstrom.
Der PFET wird höchstens alle 30s geschaltet. Der sollte also nicht warm 
werden. Die hohen Gatewiderstände sind so gewählt weil ich sanfter 
schalten möchte. Klar gibt es dann mehr Verlustleistung aber die 
Spannung bricht mir am Eingang dann nicht ein.
Laut Simulation hab ich mit einem 100k Gatewiderstand nur 80W und mit 1k 
schon 300W.
Ist es denn besser kurzzeitig 300W oder etwas länger 80W 
Verslustleistung am FET zu haben?

Andi D. schrieb:
> warum machst du dir soviel arbeit ? von IRF oder Infineon gibt es
> Highside "SmartSwitches".

z.B. bei Reichelt den BTS 462 für 1,40 Eur

Andi schrob:
>warum machst du dir soviel arbeit ? von IRF oder Infineon gibt es
>Highside "SmartSwitches".

Guter Rat! Solche Biester kannte ich auch noch nicht.

MfG Paul

Bis jetzt hab ich von diesen High Side Power Switches nichts gehört.
Die scheinen aber recht interessant zu sein.
Ich hab mir grad einen rausgesucht.
http://www.farnell.com/datasheets/85603.pdf
Bei Operating voltage Vbb(on) steht 12...45 V. Heißt das ich könnte z.B 
eine 5V Spannung mit diesem FET nicht schalten?
Was mir auch nicht aus dem Datenblatt so wirklich klar wird ist wie groß 
den der maximale Strom ist den man schalten kann?

Gruß
Anna

Anna schrieb:
> Der Spannungsteiler R2,R4 benötige ich da der PMOS nur 25V UGS Spannung
> hat.

Wenn du den Typ verwenden willst, den du in der Simulation drin hast:
- der hat nur +/-8V UGS max (absolute maximum ratings)
- der verträgt nur 20V UDS max (absolute maximum ratings).

Beides wird im 24V-Betrieb deutlich überschritten. Die Gatespannung wird 
auch im 12V-Betrieb zu hoch sein.

Anna schrieb:
> Laut Simulation hab ich mit einem 100k Gatewiderstand nur 80W und mit 1k
> schon 300W.

Die Peakleistung am FET ist insofern eine Fahrkarte, als dass deine Cs 
vor und hinter dem Schalter (vermutlich) ohne ohmsche Verluste definiert 
sind.
Wenn du sanfter schalten willst, dann mach das mit C6, R2, R4 und lasse 
R1 und C5 weg. SOA beachten.

Anna schrieb:
> Was mir auch nicht aus dem Datenblatt so wirklich klar wird ist wie groß
> den der maximale Strom ist den man schalten kann?

Seite 5: Protection Functions. Je nach Temperatur zw. 1.4A und 4.5A.

HildeK schrieb:
> Anna schrieb:
>> Was mir auch nicht aus dem Datenblatt so wirklich klar wird ist wie groß
>> den der maximale Strom ist den man schalten kann?
>
> Seite 5: Protection Functions. Je nach Temperatur zw. 1.4A und 4.5A.

Wenn ich das richtig verstehe kann ich also von wenigen mA bis zu 4,5A 
je nach Temperatur schalten?
Als Versorgungsspannung muss ich dann wohl mindestens 12V verwenden.
Eine 5V Spannung kann nicht geschalten werden wenn ich das richtig 
verstehe.
Wozu wird eigentlich diese GND Widerstand RGND benötigt?

um einen FET zu schalten muss man nur seine gate Kapazität aufladen, 
also fließt nur Strom beim umladen/umschalten. um den Zustand zu halten 
braucht es nur sehr winzige ströme, das heißt, dass ein frei fliegendes 
gate sich durch minimalste kriechströme auflädt und schaltet.
nachdem es um anscheinend um einen größeren Verbraucher geht ist es in 
der Tat ratsam einen NMOS zu nehmen, für den man jedoch eine 
Treiberschaltung benötigt die das gate über 24v aufladen kann (wenn man 
nicht low Aids schalten will) ein smartfet bringt eben diesen Treiber 
und Schutzmasnahmen integriert mit. generell sind die angegebenen 
maximalströme nur mit ausreichender Kühlung erreichbar und man sollte 
eher deutlich darunter bleiben, NMOS für hohe ströme sind billiger als 
PMOS

ach ja die minimalspannung bei der der fet einschaltet(gate threshold 
voltage) kann bei manchen fets natürlich kleiner als 5v sein, 
Prozessoren in cmos Bauweise können mitunter für 1,2v und weniger 
ausgelegt sein, bei diskreten fets wirst du mit logic level fets fündig

oje, hätte zuerst den ganzen thread lesen sollen bevor ich antworte. es 
geht ja jetzt um diesen profet im speziellen der vermutlich weit unter 
12v gar nicht erst versucht zu schalten da der Treiber den integrierten 
Leistungstransistor nicht mehr voll einschalten kann. rgnd begrenzt den 
Strom durch die Schutz zener dioden bei überspannung, ist sicher auch 
bei induktiven lasten ratsam.
je höher die Umgebungstemperatur desto näher ist der Chip an der 
maximalen Betriebstemperatur und auch der on Widerstand des Schalters 
wird höher