N-Kanal MOSFET knallt ständig durch

Der Mosfet hat eine Vgs(th) von 2.1V bis 4V und ist also der Falsche für 
den Job.

@ Ben (Gast)

>aufzubauen (http://www.alphacron.de/download/hardware/BUZ73.pdf) ich

Das ist ein Standardtyp, der bitte schön min. 10V am Gate sehen will, um 
SICHER durchzusteuern.

>Bei niedrigen Spannungen (5 V) macht er auch was er soll.

Nö, das ist Zufall!

>Zeit verabschiedet sich der MOSFET mit weißem Rauch.

Logisch.

>Woran kann es liegen, habe ich einen extremen Denkfehler in meinem
>Aufbau?

Du brauchst einen Logic Level MOSFET, der bei 5V am Gate SICHER 
durchschaltet. IRLZ34N ist dein Freund.

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte

Siehe Erklärung von Gate-Source Threshold Voltage

@ Ben (Gast)

>ich verstehe nur nicht ganz warum er mind. 10 V am Gate sehen will.

Weil das so ist.

> Im
>Datenblatt steht doch das er auch bei 4V durchschaltet oder nicht
>(Diagramm "Typ. output characteristics"?!

Ja, typisch, es kann aber auch schlechter sein!

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte

"Gerade bei der Gate-Source Threshold Voltage V_{{GS}}(th) gibt es hier 
immer wieder Verwirrung. Sie gibt an, ab welcher Spannung der MOSFET 
anfängt, leitfähig zu werden. Diese Spannung ist technologisch bedingt 
auch heute noch einer starken Toleranz unterworfen, typisch 1:2 zwischen 
Minimum und Maximum. Im praktischen Betrieb muss man mindestens das 
Doppelte anlegen, um den MOSFET voll aufzusteuern. Genauere Werte findet 
man in jedem Datenblatt, meist in einer Kurve dargestellt. Als 
Standardwerte kann man typisch 10-15V für einen Standardtypen und ca. 
3-5V für einen Logic Level Mosfet ansetzen. Deshalb braucht man bei 5V 
Ansteuerung einen Typen, der sicher bei typ. 4,5V voll durchgesteuert 
ist, z.B. IRLZ34N. Bei 3,3V ist er bereits nicht mehr zuverlässig 
nutzbar. Es gibt auch Typen mit noch geringerer Spannung für 
Vollaussteuerung. Wer einen BUZ11 (MAX V_{{GS}}(th) 4V) mit 5V ansteuert 
riskiert ein Abfackeln des MOSFETs, denn je nach Toleranz kann er bereit 
ganz gut aufgesteuert sein oder auch nicht. "

Wenn ich einen MOSFET im Schaltbetrieb verwende achte ich immer drauf, 
dass der Rds(on) bei Spannungen kleiner gleich der verwendeten 
Gatespannung spezifizirt ist.

Wenn der FET voll durchsteuern würde würden 19V (in der Zeichnung soll 
das 19V heißen? Ich rechne hier mal damit) am 100 Ohm Widerstand 
anliegen und es würde ein Strom von 190 mA fließen. Wenn ich jetzt mal 
annehme, dass der FET nicht voll aufsteuert und 9.5V (19V/2, 
Leistung-Maximum) würden über dem FET abfallen dann würde 9.5 V am 
Widerstand hängen bleiben und wir hätten 95 mA Strom am fließen. Der FET 
müsste dann rund 900 mW verheizen was er auch noch ohne KK locker 
schaffen sollte (TO220-Gehäuse, 62K/W macht, sagen wir mal, 62 K über 
Raumtemperatur in der Sperrschicht. Bei 30°C also 92°C, das ist noch 
weit weg von der zulässigen maximalen Sperrschichttemperatur). Das ist 
IMO aber kein Grund warum der FET nach kurzer Zeit in Rauch aufgehen 
sollte, daher vermute ich einen fehlerhaften Aufbau oder die Zeichnung 
ist falsch.
Die Sache mit dem LogicLevel-Fet sollte man dennoch berücksichtigen bei 
nur 3.4V Steuerspannung.