suche LL FET mit Vgs von 0,8-3,3V

Gast #7092069
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Hallo Leute,
Vielleicht kann man jemand eine Empfehlung geben. Ich bin auf der Suche 
nach einem Transistor welcher bei einer Vgs von 0,8-3,3V zuverlässig 
durchschalten muss. Leider habe ich bisher keinen geeigneten finden 
können. Er sollte außerdem ein sehr schnelles Schalten (Fast Switching) 
unterstützen.

Danke
Gast #7092163
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Nein erfüllt leider nicht die Kriterien (0.8-3.3V). Im Datenblatt steht 
max. 1.45V Vgs. Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass 
er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss 
bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Der 
Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND. Ich habe bisher die 
2N7000 sowie BS170 Serie ausfinding machen können. Habe jedoch keine 
Erfahrung ob diese auch mit 3.3V Vgs zurechtkommen oder das Zeitliche 
segnen.
#7092185
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Torben schrieb:

> Ich bin auf der Suche
> nach einem Transistor welcher bei einer Vgs von 0,8-3,3V
> zuverlässig durchschalten muss.

LL-MOSFET die für 3.3V spezifiziert sind, findest du massenhaft. 2.5V 
auch noch, aber schon weniger. Noch geringere Spannung sind echte 
Exoten. Für 0.8V findest du sicher nichts.

Allerdings brauchen Silizium-Bipolartransistoren nur ca. 0.7V an der 
Basis. Mit 0.8V bleiben da noch ein paar Millivolt für den 
erforderlichen Basiswiderstand.

> Er sollte außerdem ein sehr schnelles Schalten (Fast Switching)
> unterstützen.

Das ist keine Spezifikation. Und ganz viel Strom und sehr hohe 
Spannung auch nicht. Da mußt du schon konkreter werden.
Gast #7092204
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Torben schrieb:
> Axel S. schrieb:
>> Für 0.8V findest du sicher nichts.
>
> So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder
> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.

Du hast also nicht die geringste Ahnung von MOSFETs, weißt aber ganz 
genau, dass du so einen brauchst.
Gast #7092210
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Torben schrieb:
> sondern er muss bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung
> gehen

Man wünscht sich nicht die Bauteile für eine schlecht konstruierte 
Schaltung zusammen, sondern baut die Schaltung aus den vorgegebenen 
Teilen, Elektronik ist wie Lego, sollte jedes Kleinkind schon 
verinnerlicht haben.

Ein MOSFET der bei 0.8V durchschaltet gibt es natürlich, 
RYC002N05/RYE002N05, sogar einen der bei 0V durchschaltet, ALD212900, 
aber die erlauben nur wenig Strom und sperren natürlich nicht so gut.
#7092211
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Torben schrieb:
> So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder
> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.

Torben schrieb:
> Ich bin auf der Suche
> nach einem Transistor welcher bei einer Vgs von 0,8-3,3V zuverlässig
> durchschalten muss.

Zwischen "zuverlässig durchschalten" und der Threshold-Spannung V(GS)th 
liegt ein himmelweiter Unterschied.

Weshalb eigentlich von 0.8V bis 3,3V? Was ist das für eine Quelle?
#7092212
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Torben schrieb:
> Nein erfüllt leider nicht die Kriterien (0.8-3.3V). Im Datenblatt steht
> max. 1.45V Vgs. Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass
> er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss
> bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen.

Na dann mal viel Spaß bei der Suche.

> Der
> Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND.

???

> Ich habe bisher die
> 2N7000 sowie BS170 Serie ausfinding machen können. Habe jedoch keine
> Erfahrung ob diese auch mit 3.3V Vgs zurechtkommen oder das Zeitliche
> segnen.

Jaja.
Gast #7092220
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Torben schrieb:
> So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder
> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.

Oje, du hast ja Null Durchblick.

Ein VN3205N3-G

Gate Threshold Voltage VGS(th) 0.8 — 2.4

SPERRT wenn du ein widerspenstiges Exemplar erwischt

unterhalb von 2.4V, denn VGS(th) ist die Spannung unter der er sperrt, 
dann kommt erst mal der lineare Beteich bis zur etwa doppelten Spannung, 
richtig leiten kann der erst ab

0.45 Ω VGS = 4.5V
Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #7092298
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Torben schrieb:
> schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.
"Schalten" hat mit "Threshold" gar nichts zu tun.

Für die Praxis sollte man sich merken: die Threshold-Spannung ist die, 
unter der ein Mosfet ziemlich sicher sperrt.

Also einfach mental "Threshold = sperren" im Kopf ablegen und eben nicht 
wie so gern angenommen "Threshold = leiten", dann verzettelt man sich 
nicht so leicht...
#7092401
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Torben schrieb:
> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V

Haha. Wenn ich mal das Datenblatt zitieren darf:
1
                           min     typ     max
2
Gate Threshold Voltage     0.5V    0.8V    1.1V

besonders interessant ist, wie sie das messen:
1
U_ds = U_gs, I_d = 50µA

Der MOSFET leitet also gerade mal 50µA. Und braucht dafür im 
schlechtesten Fall trotzdem 1.1V. Der typische Wert gibt den Mittelwert 
über das ganze Spektrum an. Du kannst also davon ausgehen, daß 50% bei 
0.8V die 50µA schaffen. Die andere Hälfte nicht.

Wenn du also 50µA schalten willst, bei einem Spannungverlust von 0.8V 
und es ok ist, wenn die Hälfte deiner Geräte nicht funktioniert ... ja, 
dann ist dieser MOSFET genau richtig.
Gast #7092600
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H. H. schrieb:
> Torben schrieb:
>> Axel S. schrieb:
>>> Für 0.8V findest du sicher nichts.
>>
>> So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder
>> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.
>
> Du hast also nicht die geringste Ahnung von MOSFETs, weißt aber ganz
> genau, dass du so einen brauchst.

Lieber Torben, ist keine Veräppelung. So stellt sich uns leider
die Sachlage dar.

Weil Du nicht weißt was die Bezeichnungen bedeuten ist Dir eben
unmöglich verständlich zu erklären was genau Du bräuchtest
(vermutlich gibt es das so aber gar nicht...):

Torben schrieb:
> Unter +20VDC und 500mA was so ziemlich jeder kann. Wichtig ist nur er
> muss mit einer sich wechselnden VGS zwischen 0.8V und 3.3V schalten
> können. Ausgangsseite ist erst einmal nicht relevant.

Irrsinnig (Ansteuerspannung normalerweise fest, äußerst seltene
Ausnahmefälle - U_min niedriger als selbst bei "Low Logic Level"
Mosfets... wie Axel sagte ist da bei V_GS = 1,8V SCHLUSS) - und
auch noch unvollständig dazu.

Beschreibe die Spannungsquelle, beschreibe wie hochfrequent und
steilflankig PRÄZISE Du vor hast, zu schalten, was ist "die Last"
(eine Speicherdrossel, ein Trafo, ... welche(r) genau, wozu)???

Dann könnte man endlich wissen, was WIRKLICH "gebraucht" würde -
oder aber (der wahrscheinlichere Fall) wissen, welchen falschen
Ansatz Du gewählt hast ... unwissend, "wie sowas gemacht wird".

Also kurz: Einfach ALLES sagen, NICHTS auslassen.
#7092830
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Und die waren Marktführer für WAS? Ach ja, ich erinnere mich,
bekannt aus der Rundfunk- und Fernsehwerbung, aka Aktuelle Kamera:
Das dynamische 1 MBit-RAM mit nur einer Generation Verspätung,
das hernach schlochortsch den ganzen Weltmarkt aufrollte...

Ach jach, ich hatte mal das Angebot, einen ziemlich fetten
Parsytek-Transputer-Cluster nach OstBerlin zu verschieben.
Wenn ich gewusst hätte, dass in 4 Wochen Wendezeit ist, dann
hätte ich mich das doch glatt getraut!
Gast #7092837
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Torben schrieb:
> So exotisch nun auch nicht. Beispielsweise VN3205N3-G, TN2124K1-G oder
> IRLHM630TRPBF schalten bereits bei einem Threshold von 0.8V.

Manche wollen es nie begreifen.
V_GS(th) gibt die Spannung für einen Strom I_D weit unterhalb von 1mA 
an, beim IRLHM630TRPBF z.B. für 50µA.
Bei einem MOSFET der für 21A spezifiziert ist, kann man das nun wirklich 
noch nicht als "schalten" bezeichnen.
Lerne die Datenblätter zu lesen und guck dir die Ausgangskennlinie an.
Persönliche Seite #7092870
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Gerhard H. schrieb:
> Ach jach, ich hatte mal das Angebot, einen ziemlich fetten
> Parsytek-Transputer-Cluster nach OstBerlin zu verschieben.
> Wenn ich gewusst hätte, dass in 4 Wochen Wendezeit ist, dann
> hätte ich mich das doch glatt getraut!

Auch 4 Wochen können lange sein. Da ist wahnsinnig werden, verdursten, 
verhungern, Kopfschuss alles drin.

Soweit ich weiß, gab es kaum kräftige MOSFET in der Zone.

PS: Ach Moment, du wärst ja sicherlich im Westen Hops genommen worden 
und der besteht momentan noch...
Gast #7093192
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Früher, als ich noch nicht so phlegmatisch war, da habe ich mir von so 
einem Bauelementelchen in aller Ruhe SELBST mit Hilfe mehrere Multimeter 
und einstellbarer Spannungsquellen die Kennlinie aufgenommen. Damit 
sieht man
viel einprägsamer als nur im Datenblatt, was wie passiert. Auch, wann 
der Transistor RICHTIG "aufmacht".
Gast #7093379
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Falk B. schrieb:
> ist das Problem mit SICHERHEIT anders lösbar als mit seinen
> merkwürdigen Anforderungen an einen MOSFET.

Natürlich.
Aber man redet eben nicht gerne über die Trivialschaltung, die man meint 
nur mit einem super Exoten aus dem MIT Labor bewerkstelligen zu können.

Weil das ist ja super Geheim, weil man 'the next big thing' am Wickel 
hat das sonst ja alle nachbauen wollen.
Gast #7093391
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Max M. schrieb:
> Weil das ist ja super Geheim, weil man 'the next big thing' am Wickel
> hat das sonst ja alle nachbauen wollen.

Na ja, eher wohl, weil sich dann Massen von Wissenden einstellen, die, 
(mangels eine Lösung) anstatt auf die Frage zu antworten, die gesamte 
Aufgabenstellung in Zweifel ziehen. Also "Ganz anders machen" "geht auch 
mit einem Arduino", "kann man fertig kaufen"...

Ich sammele gerne weiter Ideen, mit welchen Strategien man seinen 
eigenen Intelligenzgrad größer als den des Fragestellers darstellen kann 
😉
Gast #7093431
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Εrnst B. schrieb:
> Aber immerhin, der Dieter ist mit jedem Vorschlag eine Größenordnung
> näher ans Ziel gerückt.

Stimmt. Schafft nur leider die 20V nicht.
Ansonsten würden 200 von denen parallel das schon schaffen.
Und haben alle zusammen dann nur schlappe 0.5 Ohm Ri bei 0,,8V Vgs.
Gast #7093827
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mitlesa schrieb:
> Abdul K. schrieb:
>> Also seid einfach solange still.
>
> Ja, die Beratungsresistenten sind leider nicht so gesprächig.
> Sie wollen nur das vom Forum bestätigt bekommen was sie selbst
> für richtig halten.

Oder er will wirklich sein vermeintliches "Superkonzept mit
durchschlagender Erfolgserwartung" geheim halten.

Oder... er ist leider so sensibel, daß ihn die Realität schon
zum Schweigen gebracht hat (/sein Projekt in der Tonne liegt,
und er keine Lust mehr hat, über Vergangenes zu reden).

Alles möglich.
Gast #7093897
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Aber ihr müsst schon zugeben, dass es ab und zu neue Wunderbauteile 
gibt, von denen man früher nur träumen konnte.

Mich haben z.B. Gleichrichter und bidirektionale Pegelwandler für I²C 
ohne die üblichen 0,7V Verlust überrascht. Und dass man inzwischen WLAN 
ohne Spulen machen kann, ist doch auch schon ein kleines Wunder, oder?

Solche Produkte machen das Hobby für mich jedenfalls super spannend.
#7094496
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Geschwindigkeits-Phlegmatiker schrieb:
> Früher, als ich noch nicht so phlegmatisch war, da habe ich mir
> von so
> einem Bauelementelchen in aller Ruhe SELBST mit Hilfe mehrere Multimeter
> und einstellbarer Spannungsquellen die Kennlinie aufgenommen. Damit
> sieht man
> viel einprägsamer als nur im Datenblatt, was wie passiert. Auch, wann
> der Transistor RICHTIG "aufmacht".

Heute nimmt man LTspice.😎
mfg Klaus
Gast #7094508
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Klaus R. schrieb:
> Heute nimmt man LTspice.

Du hast anscheinend nicht so ganz verstanden, was LTSpice tut. Auch da 
muss jemand die Kennlinie messen und daraus die Parameter extrahieren, 
um das passende Modell zu generieren. Exemplarstreuungen berücksichtigt 
das Modell immer noch nicht, wenn man diese Prozedur nicht für jedes 
Exemplar einzeln durchzieht.
Gast #7094514
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Wolfgang schrieb:
> Klaus R. schrieb:
>> Heute nimmt man LTspice.
>
> Du hast anscheinend nicht so ganz verstanden, was LTSpice tut. Auch da
> muss jemand die Kennlinie messen und daraus die Parameter extrahieren,
> um das passende Modell zu generieren.

Doch -er hat es ABSOLUT richtig verstanden: Jeden Tag kann man hier von 
Leuten lesen, die ihre Simulationsdateien über Stunden und Tage an die 
Wirklichkeit anpassen, statt die Schaltungen real aufzubauen und dort 
die Resultate zu betrachten.
Gast #7094561
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Klaus R. schrieb:
> Heute nimmt man LTspice.😎

Für LTSpice kannst Du Dir genau ein Bauteil zimmern, das genau dieses 
Verhalten in der Simulation zeigt.

Da der TO noch nichts von einer realen Schaltung genannt hat, wäre damit 
seine Frage gelöst, solange er die folgende Gegenfrage nicht beantwortet 
hat:

Fehlt Dir bloß das Wissen, wie das in LTSpice geht oder ginge es wenn 
Dir hier jemand das fertige LTSpice-Modell eines solchen Bauteiles hier 
zum Download einstellt?
Gast #7094596
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Ich vermute mal die Anforderung 0,8V gibts gar nicht, weil der TE auch 
hier  das Datenblatt nicht richtig gelesen / verstanden hat.
Wie auch bei Vgsth.
0.8V sind verdächtigerweise die max. Eingangsspannung bei Ttl low.
#7095532
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Dieter schrieb:
> Klaus R. schrieb:
>> Heute nimmt man LTspice.😎
>
> Für LTSpice kannst Du Dir genau ein Bauteil zimmern, das genau dieses
> Verhalten in der Simulation zeigt.

In der Praxis versucht man zunächst für seine Anforderungen mit Hilfe 
von LTspice eine Schaltung zu entwerfen. Wenn es funktioniert wird man 
in der Regel kein Bauteil finden das diese Schaltung ersetzen könnte.

Torben schrieb:
> Um Missverständnisse auszuräumen ich meine nicht, dass
> er bei 0.8V oder 1.0V oder 2.0V oder 3.3V schalten muss, sondern er muss
> bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Der
> Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND.

Die Anforderungen von Torben sind für mich nicht recht verständlich.

Bei bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V soll irgend etwas in die 
Sättigung gehen. Man braucht also vier unabhängige Stufen die jeder eine 
eigene Schaltspannung hat. Das ließe sich machen. Sinnvollerweise nicht 
mit einem diskreten Transistor oder FET, da die Toleranzen der 
Schaltpunkte doch zu hoch wären. Also muß es jeweils ein IC sein. 
Geeignet wären Schmitt Trigger. Mittels Trimmer kann die Schaltschwelle 
genau eingestellt werden. Das betrifft jetzt aber nur das Einschalten. 
Was ist wenn die Eingangsspannung wieder sinkt? Schmitt Trigger haben 
eine Hysterese. Jeder logische Baustein hat eine Hysterese und 
definierte Bereiche in denen die Spannung 0 oder 1 darstellt. Im 
Zwischenbereich ist der Schaltzustand nicht definiert.

Das zuvor geschilderte ist nichts Neues, sondern seit Jahrzenten 
bekannte und angewandte Schaltungstechnik.
1
> bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen. Der
2
> Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND.

Torben, was meinst Du damit?
1
Der Unterschied besteht logisch zwischen OR und AND.

Da setzt es bei meiner Logik aus.😕
mfg Klaus
Gast #7095655
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Klaus R. schrieb:
> Wenn es funktioniert wird man in der Regel
> kein Bauteil finden das diese Schaltung ersetzen könnte.

Das hast du sicher nicht so gemeint, wie es bei mir ankommt. Kannst du 
dieses Satz präzisieren?

Klaus R. schrieb:
>> bei 800mV und 1.0V und 2.0V und 3.3V in die Sättigung gehen.
> Torben, was meinst Du damit?

Verstehe ich so, dass er einen Transisotr sucht, der für all diese 
Steuerspannungen als Schalter geeignet ist. Vermutlich ist ihm nicht 
klar, dass ein Transistor für 800mV ebenso gut für höhere Spannungen 
geeignet ist. Nach oben hin kritisch wird es ja in der Regel erst 
oberhalb von 10V.
Gast #7095761
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Stefan ⛄ F. schrieb:
> Max M. schrieb:
>> Naja, 'ohne Spulen' und 'Spulen bereits im IC' ist schon ein enormer
>> Unterschied ;-)
>
> Eben, genau diesen Fortschritt finde ich sehr spannend.

Ganz normale Miniaturisierung.
Die Induktivität wird eben gleich mit auf das Chip Die geätzt.
Chip Caps, Chip Rs gibt es ja auch schon lange.

Der Chip wird teurer, weil größer, aber ext. Bauteile gibt es auch nicht 
umsonst und die brauchen PCB Fläche und müssen eingekauft, gelagert und 
bestückt werden. Also ein einfaches Rechenexempel ob sich Chip interne 
passive Bauteile rechnen.

Chips sind je nach Strukturbreite relativ billig in Massenstückzahlen zu 
bauen. Mikromechanik = MEMS Mikrophone, Inclinometer, Accelermeter, 
Gyroskope die Verstärker und AD Wandler gleich integrieren.
#7096450
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Stefan ⛄ F. schrieb:
> Klaus R. schrieb:
>> Wenn es funktioniert wird man in der Regel
>> kein Bauteil finden das diese Schaltung ersetzen könnte.
>
> Das hast du sicher nicht so gemeint, wie es bei mir ankommt. Kannst du
> dieses Satz präzisieren?

Eigentlich wollte ich darauf hinweisen das es nicht einen Transistor 
gibt der die Anforderungen der vier Schaltschwellen umsetzen kann. Wenn, 
dann ist eine umfangreichere Schaltung erforderlich. Also es wäre besser 
ein IC einzusetzen und das für jede der Schaltspannungen. Mit einem 
diskreten Transistor wird es schwer zwischen 0,8 V und 1,0 V vernüftig 
zu differenzieren. Ausserdem fehlen so und so die Angaben zur den 
erforderlichen Toleranzen und letztlich der Hysterese. Der aus meiner 
Sicht mögliche Ansatz wäre vier Schmitt Trigger, mit Trimmer justiert, 
zu verwenden.

Aber dann ist noch der Hinweis des TO auf OR und AND. Das passt 
irgendwie nicht.

Aber vielleicht will der TO etwas ganz anderes.
mdf Klaus
Gast #7096455
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Klaus R. schrieb:
> Aber vielleicht will der TO etwas ganz anderes.

Scheint so. Schade dass er sich nicht mehr meldet.

Ich finde das respektlos, wenn Leute hier um Hilfe bitten und dann 
einfach verschwinden ohne Bescheid zu geben, während die Helfer 
weiterhin ihre Zeit nutzlos vergeuden.

Irgendwann hilft hier niemand mehr ernsthaft.

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