Schieberegister => 8 Mosfets (IRLR3410): Gate Ladestrom?

Valentin Gast #5967361
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Guten Abend allerseits,

ich habe mal eine Frage zur Ansteuerung von Mosfets über ein 
Schieberegister.

Mein Plan ist, mit einem 74HCT595 8 Mosfets anzusteuern. Geschaltet wird 
"gelegentlich"... also vielleicht ein bis zweimal am Tag ein und nach 20 
Sekunden wieder aus. Die Schaltgeschwindigkeit ist hier eher nicht 
relevant.

Was mich allerdings umtreibt ist die Frage, ob ich einen Treiber-IC 
benötige.

Bei den Mosfets handelt es sich um IRLR3410. Im DaBla ist "Total Gate 
Charge" mit 34nC angegeben.

Ich weiß nicht, wie ich daraus den erforderlichen Ladestrom berechnen 
kann. Kann mir jemand sagen, ob der Ausgang eines HCT595 das Gate dieses 
Mosfets treiben kann? Ohne Gatewiderstand...

Es kann auch sein, dass alle 8 Mosfets gleichzeitig geschaltet werden 
müssen.

Geht das so? Oder brauche ich einen Treiber für die Mosfets?

Würde mich eure Tips sehr freuen.

Danke, Valentin
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Egon D. Gast #5967503
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Valentin schrieb:

> Bei den Mosfets handelt es sich um IRLR3410. Im
> DaBla ist "Total Gate Charge" mit 34nC angegeben.

Okay.


> Ich weiß nicht, wie ich daraus den erforderlichen
> Ladestrom berechnen kann.

Q = I * t bzw.

I = Q / t

Q = 8*34nC = 272nAs

Wenn Du die acht FETs parallel z.B. in 1µs schalten
willst, ist dazu ein Strom von

I = 0.272µAs / 1µs = 0.272A (!).

Bei einem einzelnen sind es entsprechend 34mA.


> Kann mir jemand sagen, ob der Ausgang eines HCT595
> das Gate dieses Mosfets treiben kann?

Antwort von Sender Jerewan: Im Prinzip ja, aber es
kommt auf die gewünschte Geschwindigkeit an.
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Shuzz Gast #5969243
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Wenn die Schaltgeschwindigkeit vernachlässigbar ist dann häng einfach 
ein paar "Angstwiderstände" zwischen Gate und 595.
470R sollten hier ausreichend sein denke ich, schlimmstenfalls reicht 1k 
aus.
Damit ist der maximale Strom auf 5-10mA beschränkt und das HC595 kann 
die FETs problemlos ansteuern. Da Du hier offenbar keine PWM machen 
willst reicht das denke ich aus, es sei denn wir reden von sehr hohen 
Strömen.

Ggf. würde ich die FETs nacheinander einschalten (bzw. aus), sofern ein 
geringer, zeitlicher Versatz von ein paar ms nicht schadet.
Was genau meinst Du mit "gleichzeitig"? Wirklich auf die ns genau? Oder 
eher so "sollten alle innerhalb weniger ms leiten"?
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Lothar M. Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #5969260
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Valentin schrieb:
> Die Schaltgeschwindigkeit ist hier eher nicht relevant.
Mach den angesprochenen 1k Widerstand vors Gate und jut is.
Dann schaltet der Mosfet auch nicht gleich im MHz Bereich durch die 
Lande und du sparst dir das dadurch entstehende EMV-Gehampel...

> Im DaBla ist "Total Gate Charge" mit 34nC angegeben.
Bei 5V Ugs haben wir ja nur noch mit 20nC zu kämpfen. Siehe Diagramm 6 
im angesprochenen DB.
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