Wie nennen sich diese FET

#6147807
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EPAD MOSFET.

Da wird die UGS per floating gate wie bei einem EEPROM analog in der 
Fabrik eingestellt, und es gibt Modelle die ab 0V "ZERO THRESHOLD" 
beginnen zu leiten.
Die sind aber dermassen schlecht (wenig steil) daß ich nicht wüsste wozu 
man sie einsetzen könnte.

Ein Datenblatt:
https://www.aldinc.com/pdf/ALD212900.pdf


Geht die UGS unter 0V, nennt man sie Depletion MOde MOSFETs, wie 
BSS126/139/169, BSP135/149.

Der RYC002N05 ist ein echter N-Kanal enhancement MOSFET der ab 0.9V 
definiert immerhin 10mA leitet und bei 0V nur noch 1uA.
Aber bei 0.3V eventuell 1mA durchlässt, oder auch erst bei 0.8V.
#6147814
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"Germanium-Transistor"?

Mal ernst - MOSFET mit derart niedrigen Threshold-Spannungen
wären mir nicht bekannt. Wenn ich danach suchen wöllte, würde
ich etwas in der Art "ultra low threshold MOSFET" verwenden.

Andererseits gibt es selbstleitende MOSFET und natürlich JFET,
die bei U_gs ~= 0 bereits einen möglichen Arbeitspunkt haben.
Gast #6148155
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Ich danke euch.
Mir fiel der Begriff einfach nicht wieder ein und ohne finden 
Suchmaschinen nichts.
Ich brauche halt nur einen Dreibeiner, der mit kleinerer 
Basis-/Gatespannung steuerbar ist wie ein npn-Transistor.
Ein Ge-Transistor wäre schon möglich, nur ist meine Auswahl an Ge-npn 
mit geringem Reststrom nicht gerade groß und tendiert zu Null oder gar 
minus.

Viele Grüße
Bernd
#6148381
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Bernd schrieb:
> Ich brauche halt nur einen Dreibeiner, der mit kleinerer
> Basis-/Gatespannung steuerbar ist wie ein npn-Transistor.

Ob dir so ein EPAD MOSFET weiterhilft, hängt davon ab, was du konkret 
mit "steuerbar" meinst. Wenn es nur darum geht, eine Wechselspannung zu 
verstärken, dann ja - dann geht aber auch ein selbstleitender MOSFET 
oder JFET. Aber wenn du einen Schalter suchst, der bei 0V sperrt und bei 
sagen wir mal 0.3V durchläßt, dann wird das nur für sehr kleine Ströme 
von größenordnungsmäßig 100µA etwas werden.
Gast #6148435
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Ein hochohmiger Spannungsteiler an G2 eines Dualgate-FET wird mittels 
diesen gesuchten "Transistor" zur Verstärkungsreglung von etwa 4V 
heruntergeregelt, wenn die "Basispannung" des gesuchten "Transistors" 
über 300...400mV ansteigen will.

Die Spannung stammt vom Pin 10 des A244/TCA440 - VU-Meterausgang.
So meine Überlegung - es geht natürlich auch anders, dann muß ich aber 
eine neue Platine machen und das will ich umgehen.

Ich habe aber noch nicht getestet, ob die Spannung an Pin10 mit einem 
hochohmigeren Abschluß auf über 0,7V steigt.

Das soll eben eine elegante Denkfehlerbehebung sein.

Viele Grüße
Bernd

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