Class-D mit GaN Mosfets

Frequenzabhängiger Spannungsteiler?

Vielleicht solltest Du Dir mal solche GaN genauer anschauen - die haben 
nämlich eine ganz andere Input-Charakteristik als normal Mosfet.
Die fangen nämlich schon bei ganz wenigen Volt am Gate an zu leiten. 
Dabei meine ich nicht die DS-Strecke, sondern die GS-Strecke.
Deswegen steht im DB auch ein max. Gatestrom anstatt max. Gatespannung, 
und für negative Signale immerhin noch eine max. neg. Spannung.
Der 560er R soll dabei den GS-Strom begrenzen. Da aber 560Ohm selbst bei 
den niedrigen Input-Kapazitäten ziemlich die Schaltflanken am Gate 
verschleift, wurde eben noch die niederohmigere RC-Serienschaltung 
parallelgeschaltet, um für die steilen Impulsflanken einen direkteren 
Weg zum Gate zu geben.
Einen GaN kann man also nicht einfach mal so an einen normalen 
Gatetreiber schalten, der das Gate dann einfach so mal mit Ugs=12V 
beaufschlagen würde, was den GaN himmeln würde.
Also eigentlich eher verwandt mit der Ansteuerung von BJT-Teilen.

Na die Gate-Charakteristik sieht man doch schon im Datenblatt des 
verwendeten GaN.
Und irgendwelche allgemeine Infos zu GaN-Fets finden sich im INet - man 
muß eben nur suchen nach irgendwelchen AppNotes, White Papers oder 
ähnlichem, vor allem bei den Herstellern (ich mnüsste auch erst wieder 
suchen gehen ...).