FET Ringing vermeidbar?

Gast #7019747
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Hallo.

Ich weiss, dass Gate-Ringing beim Umschalten in letzter Konsequenz durch 
eine unerwünschte (parasitäre) Spannungsänderung am Source entsteht. Das 
kann man durch dicke und kurze Traces, gescheites Routine vermeiden. Nun 
habe ich aber das Problem, dass nach dem Source noch ein 10mOhm Shunt 
zur Strommessung (für den LED-Treiber) kommt, den ich kaum umgehen kann. 
Dort entsteht eine Spannungsänderung von 100mV beim Abschalten des FET = 
Gate-Ringing.

Was kann man da machen?
1
3A ----- D NMOS S ----- 10m Shunt ----- GND
2
             |        |             |
3
             G--- LED-Treiber ------´
#7019751
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Jan schrieb:
> Ich weiss, dass Gate-Ringing beim Umschalten in letzter Konsequenz durch
> eine unerwünschte (parasitäre) Spannungsänderung am Source entsteht.

Nö. Die Spannungsänderung ist schon erwünscht, sonst würde der MOSFET ja 
nicht schalten. Parasitär und unerwünscht ist eher die Gatekapazität und 
die Induktivität der Zuleitung, welche zusammen einen schwingfähigen 
LC-Kreis darstellt.

> Das
> kann man durch dicke und kurze Traces, gescheites Routine vermeiden.

Jaja, Dick Tracy läßt grüßen!

> Nun
> habe ich aber das Problem, dass nach dem Source noch ein 10mOhm Shunt
> zur Strommessung (für den LED-Treiber) kommt, den ich kaum umgehen kann.

Auch du Armer.

> Dort entsteht eine Spannungsänderung von 100mV beim Abschalten des FET =
> Gate-Ringing.

WIRKLICH? 100mV!

> Was kann man da machen?

Ich würde mit meinem Therapeuten sprechen.
Gast #7019763
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> Du hast wohl heute noch keinen Kaffee gehabt?!

Man wundert sich schon manchmal wieso manche Leute an einigen
Stellen total uebertreiben und andere andere dann bei
wichtigen Dingen total sorglos sind. :)

> Ferrit beads an den Gates.

Ist wohl im SMD-Zeitalter etwas aus der Mode gekommen.

Olaf
#7019771
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Jan schrieb:
> Soll ich mir daraus jetzt zusammenreimen, dass die 100mV kein Ringing
> verursachen können?

Allein deine Fragestellung ist diffus. Entweder hast du 100mV Klingeln 
auf dem Gate oder nicht. Sourcewiderstände erzeugen meist kein Klingeln 
am Gate, dafür sind sie zu niederohmig.

> Da ist ein 2V logic level FET drin. Da sind 100mV ne
> Menge.

Lies mal was zum Thema Netiquette.

"Daran denken, dass die Leute im Forum nicht neben einem sitzen und 
alles so vor sich sehen wie der Fragesteller"

Bis zu deinem letzten Beitrag wußten wir praktisch nichts über die 
wichtigen Details deiner Schaltung. Auch nicht, daß es ein 2V Logic 
Level FET ist. Wir wissen immer noch nicht, mit welcher Spannung der 
angesteuert wird. Mit welchem IC. Und wie das Gatesignal wirklich 
aussieht. Und viele andere, nicht ganz unwichtige Dinge.
#7019923
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Falk B. schrieb:
> Jan schrieb:
>> Soll ich mir daraus jetzt zusammenreimen, dass die 100mV kein Ringing
>> verursachen können?
>
> Allein deine Fragestellung ist diffus. Entweder hast du 100mV Klingeln
> auf dem Gate oder nicht. Sourcewiderstände erzeugen meist kein Klingeln
> am Gate, dafür sind sie zu niederohmig.
>

...

Vor allem WISSEN WIR nicht, woher der TO GLAUBT, es zu wissen. Kann ja 
auch Überschwingen am Tastkopf sein, weil Massestrippe zu lang oder 
falsch angeklemmt. Oder alles ganz normal, aber unvermeidliche 
Überschwinger im Messaufbau überinterpretiert. Angesichts der diffusen 
Fragestellung scheint mir das noch die wahrscheinlichste Erklärung. 
Früher (tm) gab es mal von Tektronix eine Broschüre, wie man Tastköpfe 
richtig verwendet und anschließt. Vielleicht gibt es die immer noch zum 
Download?

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