Probleme mit Vollbrücken-Gegentaktwandler

Der Gleichrichter ist  zu schlecht für deine schaltfrequenz und die 
Primäre ansteuerung fängt schon bei 30W an sich auszulöten.

Flip

Achja viele der Leitungen sind selbst für 1A deutlich zu klein, und was 
du bei  der Mosfetansteuerung falsch machst kann man mangels 
informationen ja nur raten.

Zu schlecht heisst zu langsam?
Handelt sich um diesen hier:
http://www.farnell.com/datasheets/1719736.pdf
Im Datenblatt steht leider nichts zu den Schaltgeschwindigkeiten, aber 
SMPS wird als Anwendung genannt. Gibt es denn was besser passendes in 
idealerweise der gleichen Bauform?

Wie geschrieben: Im Screenshot sind die Polygone damit es übersichtlich 
bleibt nicht gezeichnet. Die Leitungen sind deutlich dicker. Habe 
nochmal einen Screenshot mit Polygonen angehängt.

Die Gate-Ansteuerung habe ich so schon bei mehreren Projekten gemacht 
und das gab nie Probleme: ADUM4223 (isolierter 4A Halbbrückentreiber), 
3,9Ohm Gatewiderstand, Versorgung mit galvanisch getrennten 12V aus 
einem Traco DC/DC mit 47µF am Ausgang. Die Gates habe ich mir mit dem 
Oszi angeschaut und die genannten meiner Einschätzung nach guten 
Schaltzeiten von 180ns on und <100ns off gemessen.

Der Gleichrichter geht wohl nicht weit über Netzfrequenz, ist als 
Primärgleichrichter in SMPS gedacht. In dem Gehäuse was schnelles finden 
wird sehr schwer.

Bei Schaltungen  ist es üblich diese nicht in Textform weiterzureichen. 
Dafür gibt es Schaltpläne. Da die ja aber top secret sind....

"Ich habe ein auto gebaut, BMW V6-Motor (190Ps), Lenkrad, Bremspedal, 
Karosserie in Rot (Zur anschaulichkeit nur türen dargestellt) Reifen 
(5mm Profil. Warum fährt es nur rauchend und langsam rückwärts?"

Flip

Okay, das hilft mir schonmal weiter.

Ich habe mal nach passenden Gleichrichterdioden gesucht, was wäre davon 
zu halten?
http://www.farnell.com/datasheets/1524898.pdf
tyical recovery time 17,5ns klingt doch ganz gut. Die dürfte man für 
erste Tests auch halbwegs vernünftig auf der jetzigen Platine 
unterbringen können.

Neue schnelle Gleichrichterdioden sind bestellt und werden bald 
getestet.

Kann mir mal noch jemand den Zusammenhang zwischen dem zu langsamen 
Gleichrichter sekundärseitig und den heiß werdenden Mosfets primärseitig 
erklären? Das ist mir noch nicht ganz klar.

Flip B. schrieb:
> Die Primärseite ist schlichtweg so schlecht designt dass sie schon
> bei
> der geringen leistung überhitzt. da das ja aber alles hochgeheim ist
> kann man nur raten woran es liegt.

Ich habe weiter getestet, jetzt mit diesen Dioden (650V/8A Ultrafast):
http://www.infineon.com/dgdl/DS_IDV08E65D2_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433d68e984013d6956ef27064a

Und siehe da, die Schaltung lief erstmal so wie sie sollte, wenn auch 
immer noch ohne Last. Stromaufnahme im Leerlauf mit den neuen Dioden 
etwa 150mA, und der Zwischenkreis ist praktisch sofort auf Nennspannung. 
Mosfets bleiben kalt.

Irgendwas ist allerdings nach wie vor im Argen, denn zwei davon sind 
nach wenigen Minuten gestorben. Habe für weitere Tests jetzt nochmal 
eine Nummer größer (1200V/60A) bestellt, sind aber noch nicht geliefert.

Ergänzung: "zwei davon" = zwei von den neuen schnellen 
Gleichrichterdioden.

Dazu nochmals der Hinweis darauf dass die Gate-Verläufe in Ordnung sind. 
Den Rest der Primärseite habe ich doch komplett gezeigt.

Es geht um den Schaltplan, nicht um das Layout. Du benutzt Eagle, also 
wollen wir das Bild mit den grünen Linien und den roten Bauteilen.

Der Grund für das Ableben der Dioden könnte sein dass dein Trafo keine 
Snubber hat. Mess doch mal die Spannung an einem Primäranschluss des 
Trafos bzw. auf der Sekundärseite. Du wirst überrascht sein was da so 
los ist.

Okay, gerne. Den Leistungsteil habe ich als PNG angehängt, da ist auch 
die Gate-Ansteuerung mit drauf.

Danke für den sehr guten Hinweis mit den Snubbern. Tatsächlich habe ich 
primärseitig mit dem Oszilloskop bei 30V Versorgung Peaks bis 70V messen 
können. Sekundärseitig habe ich noch nicht mit dem Oszi gemessen, werde 
ich aber definitiv noch nachholen. Das klingt für mich nach einer 
ziemlich wahrscheinlichen Ursache für das Diodensterben.

txg schrieb:
> Kann mir mal noch jemand den Zusammenhang zwischen dem zu langsamen
> Gleichrichter sekundärseitig und den heiß werdenden Mosfets primärseitig
> erklären? Das ist mir noch nicht ganz klar.

Das ist ein Klassiker bei Schaltnetzteilen. Wenn die Dioden zu langsam 
sind (du bist nicht der erste der da 50Hz-Dioden verwendet) sperren sie 
nicht sofort sobald die Brücke umschaltet. Die Folge ist ein 
Recovery-Strom rückwärts durch die Dioden. Gemeinerweise macht der sich 
aber in den Schaltern eher bemerkbar als in den Dioden.

Bisher selber nur bei Stepup-Wandlern beobachtet aber auch mit Trafo 
dazwischen sollte die Ursache die selbe sein.

Lösung: Dioden mit sehr geringer Recoveryzeit (trr).